| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2010年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2009年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| 研究概要 |
1,3-ベンゾチアゾール(BTA)部位を付加させた複合TTF分子の各種誘導体のうち、エチレンスペーサーを有する分子1について、磁性遷移金属M(hfac)_2(M=Cu,Co,Mn,Ni)への配位錯体1_2 M(hfac)_2の作製を行い、その構造と物性について検討した。一方、磁性遷移金属錯体1_2Cu(ReO_4)_2錯体の構造と物性について検討したところ、(1_2)^+Cu^+(ReO_4^-)_2の部分酸化状態の電荷分布を持つ錯体であることが明らかとなり、活性化エネルギー0.07eVを有する半導体であることが判った。
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