| 研究課題/領域番号 |
21750198
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
機能材料・デバイス
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| 研究機関 | 独立行政法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
山田 浩之 独立行政法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス研究部門, 研究員 (00415762)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2010年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2009年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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| キーワード | 強相関エレクトロニクス / 人工超格子 / ヘテロ界面 / 電気磁気デバイス / ナノ材料 / 巨大磁気抵抗 / 酸化物エレクトロニクス / 電界効果 |
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| 研究概要 |
本研究課題では強相関電子系酸化物を対象に、物質間の界面における電気・磁気機能を探究した。特にLaMnO_3とSrMnO_3を交互に積層して構築した人工超格子では、従来にない高品質化に成功した結果、バルクの(La,Sr)MnO_3では見られない巨大磁気抵抗効果を発見し、その起源が、物質間の界面における絶縁体・金属状態の競合にあることを見出した。これらは、通常半導体を超越した強相関電子系特有の機能であり、界面制御が必須な新原理デバイス開発にむけ重要な知見である。
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