| 研究課題/領域番号 |
21760005
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 北陸先端科学技術大学院大学 |
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研究代表者 |
松島 敏則 北陸先端科学技術大学院大学, マテリアルサイエンス研究科, 助教 (40521985)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2010年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2009年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | 半導体 / 有機分子 / 新機能材料 / 有機・分子エレクトロニクス / 有機EL素子 / 電気物性 / 電荷移動 / デバイス設計 / 酸化モリブデン / 空間電荷制限電流 / 有機半導体 / 電荷生成 |
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| 研究概要 |
酸化インジウムスズ(ITO)陽極と有機層の界面に挿入した酸化モリブデン層の厚みを変化させたときのホールオンリー素子の電流密度-電圧特性を評価した。その結果、最適な厚みの酸化モリブデン層を用いることで、ITOと有機層の界面のホール注入障壁の影響が低減されオーミック接合が形成されることを見出した。オーミック接合を形成させたときの電流密度-電圧特性を空間電荷制限電流の理論式を用いて解析することで、様々な有機層のキャリア移動度を見積もった。
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