研究課題
若手研究(B)
低周波ノイズ計測手法を用いることで、半導体中キャリアの寿命の評価を行った。代表的な半導体であるSiにおいては100μsのオーダーで寿命が見積もられ、その温度依存性からキャリアの散乱のメカニズムがイオン化不純物散乱からフォノン散乱に変化していることが分かった。一方有機半導体の1つであるペンタセンにおいて、キャリアの寿命は100μsのオーダーと見積もられ、その温度依存性を測定することでキャリア伝導機構がホッピング伝導からバンド伝導へと転移していることを示唆する結果を得た。
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