| 研究課題/領域番号 |
21760009
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
細井 卓治 大阪大学, 工学研究科, 助教 (90452466)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2010年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2009年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | ゲルマニウム / GOI基板 / SGOI基板 / 液相エピタキシャル成長 / 半導体基板 / SiGe(シリコンゲルマニウム) / GOI(Germanium On Insulator) / GOI (Germanium On Insulator) |
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| 研究概要 |
次世代半導体基板として期待されるGOI(Germanium-On-Insulator)もしくはSGOI(SiliconGermanium-On-Insulator)構造をSi 基板上に局所選択的に作製する手法として、アモルファスGe層を融解・凝固させる液相エピタキシャル成長を提案し、単結晶Geワイヤと結晶性に優れた完全歪緩和SGOI層をそれぞれ絶縁層上に形成することに成功した。
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