| 研究課題/領域番号 |
21760011
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
王 冬 九州大学, 産学連携センター, 特任准教授 (10419616)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2010年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2009年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
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| キーワード | 解析・評価 / 半導体物性 / 電子・電気材料 / 先端機能デバイス |
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| 研究概要 |
局所ひずみ評価用試料の面積は5×5μm^2以下と小さい。これに対応できるフォトルミネッセンス(PL)測定系を構築した。自立Si薄膜構造(Si-On-Nothing構造)形成後にSiN膜を成膜した試料を試作し、Si薄膜に印加されるひずみをPLシステムを用いて評価した。その結果、200nm-SiN/200nm-Si膜では約1%の圧縮ひずみが導入できること、<100>方向ひずみが<110>方向より大きいことを示した。また、深さ方向に対して「均一ひずみ」あるいは「不均一ひずみ」であるかの評価手法として、PL信号強度とSi膜厚依存性から判断する方法を提案した。
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