| 研究課題/領域番号 |
21760013
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 日本大学 |
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研究代表者 |
岩田 展幸 日本大学, 理工学部, 講師 (20328686)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
2011年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2010年度: 520千円 (直接経費: 400千円、間接経費: 120千円)
2009年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | 新機能材料 / Cr2O3 / 最表面スピン配列 / 交換バイアス磁場 / 反強磁性ドメイン / 電磁場冷却 / 電気磁気効果 / 双晶 / 逆格子マッピング / 電気磁気係数 / ネール温度 |
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| 研究概要 |
電気磁気(ME)効果を示すC面, r面配向Cr203薄膜をサファイア基板上に成長させた。c面配向膜表面は非常に平坦であったが、双晶を含んでいた。基板との格子ミスマッチ(4%)を緩和するためと考えられる。一方、r面配向膜では双晶を含まず、格子ミスマッチは粒子間に深い溝を形成することで緩和されたと考えている。双晶は逆のME効果を示すため、C面配向膜では巨大ME効果を発現させるのが難しいことがわかった。一方、1面配向膜では格子ミスマッチを緩和すれば原子レベルで平坦な膜が得られ、巨大ME効果発現が可能であることがわかった。
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