| 研究課題/領域番号 |
21760023
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 筑波大学 |
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研究代表者 |
近藤 剛弘 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 助教 (70373305)
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| 研究協力者 |
中村 潤児 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 教授 (40227905)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2010年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2009年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
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| キーワード | 表面 / グラファイト / 界面相互作用 / 鉄カルボニル錯体 / ヘリウム原子線散乱 / 昇温脱離計測 |
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| 研究概要 |
鉄クラスターを基にして鉄カルボニル錯体分子をグラファイト表面のテラス上に高分散させて形成させた.加熱をすると鉄カルボニル錯体分子は脱離をせずに表面で分解し,200~350Kにおいて一酸化炭素を放出することが明らかとなった.一酸化炭素の脱離温度は単結晶の鉄表面の場合(450K)に比べて約100Kも低い.これはグラファイトとカルボニル錯体分子との相互作用に起因していると考えられ,特異な一酸化炭素の脱離過程が本研究により明らかとなった.
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