| 研究課題/領域番号 |
21760033
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 防衛大学校 |
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研究代表者 |
北嶋 武 防衛大学校, 電気情報学群, 准教授 (50424198)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2011年度: 520千円 (直接経費: 400千円、間接経費: 120千円)
2010年度: 260千円 (直接経費: 200千円、間接経費: 60千円)
2009年度: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
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| キーワード | 表面・界面物性 / プラズマ加工 / 電子・電気材料 |
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| 研究概要 |
原子層堆積法は高精度なナノスケール膜厚の薄膜形成手法として有力な処理方法である。本研究では低圧プラズマ中に存在する準安定原子を原子層堆積法に活用し、表面反応を活性化することによって薄膜を高品質化することを目標とした。例としてシリコン上の酸化ハフニウム薄膜の形成を取り上げ、X線光電子分光、原子間力顕微鏡による膜評価を行った。膜の平坦性、均質性に対し、希ガスアルゴンにより生成される酸素準安定原子が効果的であることが明らかになった。
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