| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2010年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2009年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
|
|---|
| 研究概要 |
本研究は,テルル化カドミウム半導体放射線検出素子において,検出特性の経時劣化を改善するために行ったものである.Al/CdTe/Pt,Ti/CdTe/Pt,Ni/CdTe/Ptの各ショットキーダイオード素子を作製し,電流-電圧特性及び放射線検出特性の評価を行った.いずれの素子においても現在市販されているIn/CdTe/Pt放射線検出素子と同等以上の特性が得られた.また,Al/CdTe/Pt素子においては,1時間程度で放射線検出特性が劣化したが,Al電極蒸着前に硫黄処理による表面改質を行うことで,経時劣化が大幅に改善され,1日程度,高分解能放射線検出動作を可能にした.さらに,電極の絶縁保護膜としての非晶質炭素膜電気的特性を評価し,電極間の保護膜として十分な特性を有することを示した.
|
