研究課題/領域番号 |
21760227
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研究種目 |
若手研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
研究分野 |
電子・電気材料工学
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研究機関 | 東京工業高等専門学校 (2010) 東北大学 (2009) |
研究代表者 |
尾沼 猛儀 東京工業高等専門学校, 一般教育科, 講師 (10375420)
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研究期間 (年度) |
2009 – 2010
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研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2010年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
2009年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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キーワード | 窒化物半導体 / AlInN / 結晶成長 / 光物性 / 非極性面 / 表面再結合 / 結晶工学 / エピタキシャル / 半導体物性 |
研究概要 |
偏光が制御された高効率紫外線発光素子材料として「非極性面AlInN 混晶」を提案し、有機金属化学気相エピタキシー成長とその物性評価を行った。成長面内に非等方的な歪みを受けたm面薄膜からの発光の偏光特性を理解するため、価電子帯のオーダリング、バンド間遷移の振動子強度を理論計算により解析した。また、発光効率改善の観点からGaN 表面における再結合過程について調査し、分極電場により表面のバンド状態は変化し表面再結合過程に影響を与えることが分かった。
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