| 研究課題/領域番号 |
21760233
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 金沢大学 |
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研究代表者 |
川江 健 金沢大学, 電子情報学系, 講師 (30401897)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2010年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2009年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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| キーワード | 強誘電体不揮発性メモリ / 非鉛強誘電体 / ワイドギャップ半導体 / ダイヤモンド / BiFeO3 / 強誘電体メモリ / 強誘電体 / 不揮発性メモリ |
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| 研究概要 |
極限環境動作を目指した新規強誘電体不揮発性メモリデバイスの実現を目指し、ワイドギャップ半導体ダイヤモンド上に高キュリー温度非鉛強誘電体BiFeO3(BFO)を堆積した積層構造の作製と特性評価を行った。ボロン添加した導電性ダイヤモンド層上にBFOが結晶化可能である事および良好な強誘電性を示す事が確認された。また、同構造試料の高温特性を検証したところ、最大200℃まで安定的に動作可能である事が確認された。
以上の結果より、本研究課題が掲げるBFO/ダイヤモンド積層構造を用いた極限環境動作型強誘電体メモリデバイスの実現に向けて、当該構造の形成プロセスの確立および今後の展開に対する有用性が立証されたものと言える。
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