| 研究課題/領域番号 |
21760237
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 工学院大学 (2011)
立命館大学 (2009-2010) |
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研究代表者 |
山口 智広 工学院大学, 工学部, 准教授 (50454517)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
2011年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2010年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2009年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
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| キーワード | 半導体 / 分子線エピタキシー / 薄膜・量子構造 / 製作・評価技術 / 窒化物半導体 / 混晶 / 作製・評価技術 / 分子線エピタキシー法 |
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| 研究概要 |
InN成長のための新しいMBE(Molecular Beam Epitaxy)成長方法として提案している疑似LPE(quasi-Liquid Phase Epitaxy)法を、InGaN成長に応用した。InGaN成長時に生じる相分離を有効に利用することにより、簡便かつ再現性の良いIn(Ga) N/InGaN周期構造、InGaN厚膜の成長を実現した。また、p型結晶製作を目的として本技術を用いたMgドーピング成長への展開も行った。
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