| 研究課題/領域番号 |
21760241
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 独立行政法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
色川 芳宏 独立行政法人物質・材料研究機構, 半導体材料センター, 主任研究員 (90394832)
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| 連携研究者 |
中野 由崇 中部大学, 総合工学研究所, 准教授 (60394722)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2010年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2009年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
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| キーワード | 電気・電子材料 / 窒化物半導体 / ヘテロ接合 / AlGaN/GaN / ヘテロ構造 / AlGaN / GaN / ショットキー構造 |
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| 研究概要 |
超低損失パワー素子の実現および付随する半導体物理の体系化を目標に、窒化物半導体材料・素子の作製・評価を行った。得た知見をまとめる。(1)光容量分光法を用いて材料接合界面に存在する欠陥と素子特性との相関を求めた。素子の異常動作と接合界面に特有の欠陥準位に相関があることが明らかになった。(2)雰囲気中に存在する水素が素子特性の変化に及ぼす影響を調べた。金属/半導体界面の状態が大きな役割を果たすことが明らかになった。
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