| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2011年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2010年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2009年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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| 研究概要 |
MBE成長方法でシリコンマイクロ構造、平らなシリコン表面またはシリコンMEMS構造の上にナノカラム構造を持つ窒化物量子井戸、量子ドット、LED構造を成長した。ナノコラムの構造で, 高い量子効率と強い発光を観測することができた。そのほか, 本研究では, alGaN/GaN構造の圧電性, 耐高温性を利用し, 高温環境(300℃以上)などでも動作する圧力センサを目標として圧力センサを製作, 評価した。製作したトランジスタの圧力に対する特性を測定できた。
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