| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2011年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2010年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2009年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
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| 研究概要 |
強誘電体薄膜におけるナノスケール分極反転に関する系統的な実験を通じて薄膜作製に対する設計指針を確立し, 高い記録密度で記録再生を行うことが可能な強誘電体薄膜を開発することを目標とする研究を行い, 次の成果を得た.(1)MOCVD法により作製したエピタキシャルLiTaO_3薄膜に対し微小分極反転ドメインの生成を行い, 直径20nm程度の微小な分極反転ドットが人工的に生成可能であることを明らかにした. また, 同記録媒体に対して, 最高で1. 6 Tbit/inch^2の記録密度のドメインドット列の書き込みにも成功した.(2)間欠接触SNDM法を開発し, この手法によって測定再現性が従来法に比べ格段に向上することを実証した. このことにより, 強誘電体薄膜の特性評価において, 従来よりも信頼性の高い分析を行うことが可能となった.(3)HDD型記録再生試験装置を用いて, 記録したビットを直接高速に読みだす実験を行い, 一連の記録・再生動作を連続して行うシングルトラック記録再生に, 強誘電体プローブストレージ方式として初めて成功した.
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