| 研究課題/領域番号 |
21760253
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
金澤 徹 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 助教 (40514922)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2010年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2009年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | MOSFET / 高移動度チャネル / III-V族半導体 / MOVPE / 電子デバイス・機器 / 半導体物性 / 結晶成長 / 極微細加工プロセス / III-V族化合物半導体 / 半導体超微細化 |
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| 研究概要 |
将来の論理回路応用が期待されるIII-V族MOSFETの高電流動作を目指して、電子注入能力向上・寄生抵抗低減のため、有機金属気相成長法によって再成長したInGaAsソース/ドレイン層を有するMOSFET素子を作製した。チャネル長を170nmまで縮小化したデバイスで、最大1.3A/mmの高ドレイン電流と0.8S/mmの伝達コンダクタンスを実現した。この電流値は高移動度III-V材料としては非常に高い値であり、III-V族チャネルによる高電流動作への再成長ソース構造の有効性を示す結果である。
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