| 研究課題/領域番号 |
21760258
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 芝浦工業大学 |
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研究代表者 |
石川 博康 芝浦工業大学, 工学部, 准教授 (20303696)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2010年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2009年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
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| キーワード | 結晶成長 / 電子デバイス・機器 / ナノ材料 / マイクロ・ナノデバイス / 窒化ガリウム(GaN) / 有機金属気相成長(MOCVD) / 球状Si / ドロップレット / 窒化ガリウムインジウム(GaInN) / 多重量子井戸 |
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| 研究概要 |
球状という新しい形状のGaN系LEDの作成に向けて、半導体形成技術とのマッチングに関する研究を行った。Si(100)を支持基板とし、低融点鉛ガラスにより球状Siの着脱試験を行い、良好な結果を得た。また、Si 基板上LED に使用している発光層の発光特性とその微細構造形状との相関性について研究を行った。多数の欠陥に起因したピラミッド状の微細構造が観察され、発光の強い場所と弱い場所に特徴があることがわかった。
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