| 研究課題/領域番号 |
21760267
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 独立行政法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
廖 梅勇 独立行政法人物質・材料研究機構, センサ材料センター, 主任研究員 (70528950)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2010年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2009年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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| キーワード | 物理センサー / マイクロマシン / ダイヤモンド / マイクロ・ナノマシン / 応力センサ / スイッチ / 金属-圧電体-絶縁体-半導体電界効果トランジスタ |
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| 研究概要 |
本研究は、p型ダイヤモンドを基本とした金属-圧電体-絶縁体-半導体電界効果トランジスタ(MPIS-FET)圧力センサー構造を提案する。平成21-22年度の期間で、様々な絶縁体薄膜(Al_2O_3,CaF_2)を用いた、ダイヤモンド基板上に圧電体Pb(Zr_<0.52>,Ti_<0.48>)O_3(PZT)薄膜の成長を実現させた。絶縁体薄膜とPZT結晶成長方向、残留分極電荷の関係を明らかにする。一方、単結晶ダイヤモンドのマイクロ・ナノ可動構造体カンチレバーおよびブリッジの作製に成功した。また、各成膜の構造およびMPISキャパシタの電気特性の評価、MPIS-FET圧力センサーのデバイス構造最適化を行った。
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