| 研究課題/領域番号 |
21760268
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 独立行政法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
井村 将隆 独立行政法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, ICYS-MANA研究員 (80465971)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2010年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2009年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
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| キーワード | ダイヤモンド / 窒化物半導体 / 電子デバイス / ヘテロ構造 / 窒化アルミニウム / 電界効果トランジスタ / 転位 / 透過型電子顕微鏡 / 結晶成長 / デバイス設計 / 電子電気材料 / 光スイッチ / 環境材料 |
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| 研究概要 |
有機金属気相成長(MOVPE)法を用いてダイヤモンド基板上に窒化アルミニウム(AlN)をヘテロ成長させる技術を確立し、AlN/ダイヤモンドヘテロ構造を用いて、光デバイスでなく電子デバイスである電界効果トランジスタ(FET)を試作した。その結果、デバイスがpチャネルFET特性を示し、ノーマリーオンモードで動作することを実証した。また次世代パワーデバイス実現のための新たな手法として、AlN/ダイヤモンドヘテロ構造型FETを世界に先駆けて提案した。
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