シリコンナノ粒子を分散させた炭素系新規半導体薄膜の創製と応用

• 研究課題/領域番号: 21760523
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 無機材料・物性
• 研究機関: 弘前大学
• 研究代表者: 中澤 日出樹 弘前大学, 大学院・理工学研究科, 准教授 (90344613)
• 研究期間 (年度): 2009 – 2011
• 研究課題ステータス: 完了 (2011年度)
• 配分額: 4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円); 2011年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円); 2010年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円); 2009年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
• キーワード: 電子・電気材料 / ナノ材料 / 半導体物性 / 光物性

研究概要

メタンおよびシリコン源にモノメチルシラン、ジメチルシランなどの有機ケイ素化合物を用いた高周波プラズマ化学気相成長法により、球状微粒子を含む炭素系薄膜の作製を行った。モノメチルシランの場合、球状微粒子の主成分はシリコンであることがわかった。パルス化基板バイアスまたはモノメチルシランの間欠供給を用いることにより、微粒子の生成と成長を制御できることがわかった。また、希釈ガスの種類、成膜圧力、基板温度によっても微粒子サイズおよび密度が変化することを示した。

研究成果

• [雑誌論文] Characteristics of Silicon/ Nitrogen-Coincorporated Diamond-Like Carbon films Prepared by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (2012)
  • 著者名/発表者名: H. Nakazawa, S. Miura, R. Kamata, S. Okuno, Y. Enta, M. Suemitsu, T. Abe
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: Vol.51
  • 査読あり
• [雑誌論文] Characteristics of Silicon/Nitrogen-Incorporated Diamond-Like Carbon Films Prepared by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (2012)
  • 著者名/発表者名: H.Nakazawa
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 51 号: 1R ページ: 15603-15603
  • DOI: 10.1143/jjap.51.015603
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effects of Hydrogen on the Properties of Si-Incorporated Diamond-Like Carbon Films Prepared by Pulsed Laser Deposition (2011)
  • 著者名/発表者名: H. Nakazawa, R. Osozawa, T. Okuzaki, N. Sato, M. Suemitsu, T. Abe
  • 雑誌名: Diamond and Related Materials 巻: Vol.20 ページ: 485-491
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effects of hydrogen on the properties of Si-incorporated diamond-like carbon films prepared by pulsed laser deposition (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Nakazawa, R.Osozawa, T.Okuzaki, N.Sato, M.Suemitsu, T.Abe
  • 雑誌名: Diamond and Related Materials 巻: 20巻 号: 4 ページ: 485-491
  • DOI: 10.1016/j.diamond.2011.01.043
  • 査読あり
• [雑誌論文] プラズマCVD法によるSiおよびN同時添加DLC膜特性に対する水素の効果 (2011)
  • 著者名/発表者名: 奥野さおり、三浦創史、鎌田亮輔、中澤日出樹
  • 雑誌名: 電子情報通信学会技術研究報告 巻: 111巻 ページ: 31-36
• [雑誌論文] レーザーアブレーション法によるDLC膜特性に及ぼすB、N添加効果 (2011)
  • 著者名/発表者名: 毛内裕介、遲澤遼一、中澤日出樹
  • 雑誌名: 電子情報通信学会技術研究報告 巻: 111巻 ページ: 37-42
• [雑誌論文] Changes in chemical bonding of diamond-like carbon films by atomic-hydrogen exposure (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Nakazawa, R.Osozawa, Y.Enta, M.Suemitsu
  • 雑誌名: Diamond and Related Materials 巻: VOL.19 ページ: 1387-1392
  • 査読あり
• [雑誌論文] Mechanical and tribological properties of boron, nitrogen-coincorporated diamond-like carbon films prepared by reactive radio-frequency magnetron sputtering (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Nakazawa, A.Sudoh, M.Suemitsu, K.Yasui, T.Itoh, T.Endoh, Y.Narita, M.Mashita
  • 雑誌名: Diamond and Related Materials 巻: VOL.19 ページ: 503-506
  • 査読あり
• [雑誌論文] Silicon thermal oxidation and its thermal deposition investigated by Si 2p core-level photoemission (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Enta, H.Nakazawa, S.Sato, H.Kato, Y.Sakisaka
  • 雑誌名: Journal of Physics 巻: VOL.235
  • 査読あり
• [雑誌論文] レーザーアブレーション法によるSi基板上AlN薄膜の形成 (2010)
  • 著者名/発表者名: 中澤日出樹、鈴木大樹、遲澤遼一、岡本浩
  • 雑誌名: 電子情報通信学会技術研究報告 巻: 110巻 ページ: 39-44
  • NAID: 110008094810
• [雑誌論文] パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化 (2010)
  • 著者名/発表者名: 永田一樹、里本宗一、片桐裕則、神保和夫、末光眞希、遠藤哲郎、伊藤隆、中澤日出樹、成田克、安井寛治
  • 雑誌名: 電子情報通信学会技術研究報告 巻: 110巻 ページ: 55-58
  • NAID: 110008106229
• [雑誌論文] Changes of chemical bonding of diamond-like carbon films by atomic-hydrogen exposure (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Nakazawa, R.Osozawa, Y.Enta, M.Suemitsu
  • 雑誌名: Photon Factory Activity Report Part B 巻: #27 ページ: 66-66
• [雑誌論文] Thermal desorption of silicon oxide layer on Si(100) investigated by Si 2p core-level photoemission (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Enta, H.Nakazawa, S.Saito, H.Kato, Y.Sakisaka
  • 雑誌名: Photon Factory Activity Report Part B 巻: #27 ページ: 67-67
• [雑誌論文] Mechanical and Tribological Properties of Boron, Nitrogen-Coincorporated Diamond-Like Carbon Films Prepared by Reactive Radio-Frequency Magnetron Sputtering (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Nakazawa, A.Sudoh, M.Suemitsu, K.Yasui, T.Itoh, T.Endoh, Y.Narita, M.Mashita
  • 雑誌名: Diamond and Related Materials VOL.19 ページ: 503-506
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effects of Silicon Source Gas and Substrate Bias on the Film Properties of Si-Incorporated Diamond-Like Carbon by Radio-Frequency Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (2009)
  • 著者名/発表者名: H. Nakazawa, T. Kinoshita, Y. Kaimori, Y. Asai, M. Suemitsu, T. Abe, K. Yasui, T. Endoh, T. Itoh, Y. Narita, Y. Enta, M. Mashita
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: Vol.48
  • NAID: 40016844227
  • 査読あり
• [雑誌論文] Atomic hydrogen etching of silicon-incorporated diamond-like carbon films prepared by pulsed laser deposition (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Nakazawa, H.Sugita, Y.Enta, M.Suemitsu, K.Yasui, T.Itoh, T.Endoh, Y.Narita, M.Mashita
  • 雑誌名: Diamond and Related Materials VOL.18 ページ: 831-834
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effects of Silicon Source Gas and Substrate Bias on the Film Properties of Si-Incorporated Diamond-Like Carbon by Radio-Frequency Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Nakazawa, T.Kinoshita, Y.Kaimori, Y.Asai, M.Suemitsu, T.Abe, K.Yasui, T.Endoh, T.Itoh, Y.Narita, Y.Enta, M.Mashita
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics VOL.48
  • NAID: 40016844227
  • 査読あり
• [雑誌論文] Epitaxial Growth of GaN Films by Pulse-Mode Hot-Mesh Chemical Vapor Deposition (2009)
  • 著者名/発表者名: Y.Komae, K.Yasui, M.Suemitsu, T.Endoh, T.Ito, H.Nakazawa, Y.Narita, M.Takata, T.Akahane
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics VOL.48
  • NAID: 40016664187
  • 査読あり
• [雑誌論文] 有機シランを用いたプラズマCVD法によるダイヤモンドライクカーボン薄膜の膜特性評価 (2009)
  • 著者名/発表者名: 三浦創史、中澤日出樹、西崎圭太、末光眞希、安井寛治、伊藤隆、遠藤哲郎、成田克
  • 雑誌名: 電子情報通信学会技術研究報告 109巻 ページ: 13-18
  • NAID: 110007359259
• [雑誌論文] 原子状水素照射によるダイヤモンドライクカーボン膜の化学結合状態の変化 (2009)
  • 著者名/発表者名: 遲澤遼一、中澤日出樹、奥崎知秀、佐藤直之、遠田義晴、末光眞希
  • 雑誌名: 電子情報通信学会技術研究報告 109巻 ページ: 19-24
  • NAID: 110007359260
• [雑誌論文] 間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長 (2009)
  • 著者名/発表者名: 齊藤健、永田一樹、末光眞希、遠藤哲郎、伊藤隆、中澤日出樹、成田克、高田雅介、赤羽正志、安井寛治
  • 雑誌名: 電子情報通信学会技術研究報告 109巻 ページ: 61-66
  • NAID: 110007359286
• [雑誌論文] Hydrogen Effects on the Properties of Silicon/Nitrogen-Coincorporated
  • 著者名/発表者名: H. Nakazawa, S. Okuno, S. Miura, R. Kamata
  • 雑誌名: Diamond-Like Carbon Films Prepared by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
  • 査読あり
• [学会発表] SiおよびN同時添加DLC膜の機械的特性およびトライボロジー特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 中澤日出樹、奥野さおり、三浦創史、鎌田亮輔
  • 学会等名: 第25回ダイヤモンドシンポジウム
  • 発表場所: 産業技術総合研究所(茨城県)
  • 年月日: 2011-12-08
• [学会発表] 高周波プラズマCVD法によるSi添加DLC薄膜の作製と評価 (2011)
  • 著者名/発表者名: 鎌田亮輔、三浦創史、奥野さおり、中澤日出樹
  • 学会等名: 第66回応用物理学会東北支部学術講演会
  • 発表場所: いわて県民情報交流センター(岩手県)
  • 年月日: 2011-12-02
• [学会発表] 高周波プラズマCVD法による炭素系薄膜の作製と評価 (2011)
  • 著者名/発表者名: 鎌田亮輔、三浦創史、奥野さおり、中澤日出樹
  • 学会等名: 第1回情報処理学会東北支部研究会
  • 発表場所: 弘前大学(青森県)
  • 年月日: 2011-09-26
• [学会発表] Hydrogen effects on the properties of silicon, nitrogen-coincorporated diamond-like carbon films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Nakazawa, S.Miura, S.Okuno, R.Kamata
  • 学会等名: 22^<nd> European Conference on Diamond, Diamond-like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides
  • 発表場所: Congress Centre (Garmisch-Partenkirchen, Germany)
  • 年月日: 2011-09-05
• [学会発表] Temperature dependence of the optical gap of diamond-like carbon films by piezoelectric photothermal and photoluminescence spectroscopies (2011)
  • 著者名/発表者名: W.Ding, Y.Nakano, K.Sakai, H.Nakazawa, A.Fukuyama, T.Ikari
  • 学会等名: 22^<nd> European Conference on Diamond, Diamond-like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides
  • 発表場所: Congress Centre (Garmisch-Partentirchen, Germany)
  • 年月日: 2011-09-05
• [学会発表] プラズマCVD法によるSiおよびN添加DLC膜特性への希釈ガスの効果 (2011)
  • 著者名/発表者名: 奥野さおり、三浦創史、鎌田亮輔、中澤日出樹
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-08-31
• [学会発表] レーザーアブレーション法によるBCN薄膜の特性評価 (2011)
  • 著者名/発表者名: 毛内裕介、遅澤遼一、中澤日出樹
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-08-31
• [学会発表] プラズマCVD法によるSiおよびN同時添加DLC膜特性に対する水素の効果 (2011)
  • 著者名/発表者名: 奥野さおり、三浦創史、鎌田亮輔、中澤日出樹
  • 学会等名: 電子情報通信学会電子部品・材料研究会
  • 発表場所: 弘前大学(青森県)
  • 年月日: 2011-08-10
• [学会発表] レーザーアブレーション法によるDLC膜特性に及ぼすB、N添加効果 (2011)
  • 著者名/発表者名: 毛内裕介、遲澤遼一、中澤日出樹
  • 学会等名: 電子情報通信学会電子部品・材料研究会
  • 発表場所: 弘前大学(青森県)
  • 年月日: 2011-08-10
• [学会発表] Mechanical and tribological properties of silicon- and nitrogen-incorporated diamond-like carbon films by plasma-enhanced chemical vapor deposition (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Nakazawa, S.Miura, R.Kamata, S.Okuno, Y.Enta, M.Suemitsu, T.Abe
  • 学会等名: International Conference on New Diamond and Nano Carbons 2011
  • 発表場所: Kunibiki Messe (Shimane, Japan)
  • 年月日: 2011-05-17
• [学会発表] シリコン酸化膜のSi 2p光イオン化断面積 (2011)
  • 著者名/発表者名: 遠田義晴、永井孝幸、中澤日出樹
  • 学会等名: 第24回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム
  • 発表場所: つくば国際会議場(茨城県)
  • 年月日: 2011-01-10
• [学会発表] Hydrogen Effects of the Properties of Silicon, Nitrogen-Coincorporated Diamond-Like Carbon Films Prepared by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (2011)
  • 著者名/発表者名: H. Nakazawa, S. Miura, S. Okuno, R. Kamata
  • 学会等名: 22th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides
  • 発表場所: Garmisch-Partenkirchen, Germany
• [学会発表] PPT法を用いたダイヤモンド様炭素の光学ギャップの温度依存性の研究 (2010)
  • 著者名/発表者名: 山本亮一、河野洋平、政田清孝、三浦創史、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、中澤日出樹
  • 学会等名: 第2回半導体材料・デバイスフォーラム
  • 発表場所: アークホテル熊本(熊本県)
  • 年月日: 2010-12-11
• [学会発表] プラズマ化学気相成長法によるダイヤモンドライクカーボン薄膜の作製と評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 三浦創史、鎌田亮輔、中澤日出樹、深瀬政秋
  • 学会等名: 第1回情報処理学会東北支部研究会
  • 発表場所: 弘前大学(青森県)
  • 年月日: 2010-12-07
• [学会発表] ダイヤモンド様炭素の光学ギャップの温度依存性の研究 (2010)
  • 著者名/発表者名: 山元亮一、河野洋平、政田清孝、三浦創史、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、中澤日出樹
  • 学会等名: 応用物理学会九州支部学術講演会
  • 発表場所: 九州大学(福岡県)
  • 年月日: 2010-11-27
• [学会発表] レーザーアブレーション法によるSi添加DLC膜特性への水素の効果 (2010)
  • 著者名/発表者名: 遲澤遼一、中澤日出樹
  • 学会等名: 第24回ダイヤモンドシンポジウム
  • 発表場所: 東京工業大学(東京都)
  • 年月日: 2010-11-17
• [学会発表] モノメチルシラン、ヘキサメチルジシラザンを用いた高周波プラズマCVD法によるSi添加およびSi、N添加DLC膜の膜特性評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 三浦創史、鎌田亮輔、中澤日出樹
  • 学会等名: 第24回ダイヤモンドシンポジウム
  • 発表場所: 東京工業大学(東京都)
  • 年月日: 2010-11-17
• [学会発表] パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化 (2010)
  • 著者名/発表者名: 永田一樹、里本宗一、片桐裕則、神保和夫、末光眞希、遠藤哲郎、伊藤隆、中澤日出樹、成田克、安井寛治
  • 学会等名: 電子情報通信学会電子部品・材料研究会
  • 発表場所: 信州大学(長野県)
  • 年月日: 2010-10-29
• [学会発表] レーザーアブレーション法によるSi基板上AlN層の形成 (2010)
  • 著者名/発表者名: 鈴木大樹、中澤日出樹
  • 学会等名: 秋季第71回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(長崎県)
  • 年月日: 2010-09-16
• [学会発表] パルスバイアスを用いたプラズマCVD法によるSi添加DLC膜特性のパルスパラメータ依存性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 鎌田亮輔、中澤日出樹、三浦創史、阿部俊三、末光眞希
  • 学会等名: 秋季第71回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(長崎県)
  • 年月日: 2010-09-16
• [学会発表] Effects of hydrogen on properties of silicon-incorporated diamond-like carbon films prepared by pulsed laser deposition (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Nakazawa, R.Osozawa, T.Okuzaki, N.Sato, M.Suemitsu, T.Abe
  • 学会等名: 21^<st> European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides
  • 発表場所: Kempinski Hotel (Budapest, Hungary)
  • 年月日: 2010-09-07
• [学会発表] レーザーアブレーション法によるSi基板上AlN薄膜の形成 (2010)
  • 著者名/発表者名: 中澤日出樹、鈴木大樹、遲澤遼一、岡本浩
  • 学会等名: 電子情報通信学会電子部品・材料研究会
  • 発表場所: 道の駅しゃり(北海道)
  • 年月日: 2010-07-30
• [学会発表] ダイヤモンド様炭素のPPT及びPLスペクトルに対するsp^3/sp^2比の影響 (2010)
  • 著者名/発表者名: 山元亮一、宮本達弥、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、三浦創史、中澤日出樹
  • 学会等名: 第7回「次世代の太陽電池発電システム」-環境モデル都市・北九州市と太陽電池-シンポジウム
  • 発表場所: 北九州国際会議場(福岡県)
  • 年月日: 2010-07-08
• [学会発表] Optical energy gap of Si-doped diamond like carbon (DLC) films as a function of sp^3/sp^2 compositional ratio investigated by photothermal and photoluminescence spectroscopies (2010)
  • 著者名/発表者名: R.Yamamoto, T.Miyamoto, S.Miura, K.Sakai, A.Fukuyama, T.Ikari, H.Nakazawa
  • 学会等名: The 37^<th> International Symposium on Compound Semiconductors
  • 発表場所: 高松シンボルタワー(香川県)
  • 年月日: 2010-06-01
• [学会発表] Formation of an AlN buffer layer by pulsed laser deposition for SiC heteroepitaxy on Sisubstrate (2010)
  • 著者名/発表者名: D.Suzuki, H.Nakazawa, R.Osozawa, H.Okamoto
  • 学会等名: The 7^<th> International Symposium on Intrinsic Josephson Effects and Plasma Oscillations in High-T_c Superconductors
  • 発表場所: 弘前大学(青森県)
  • 年月日: 2010-05-01
• [学会発表] 酸化膜厚2nmまでのシリコン急速初期酸化 (2010)
  • 著者名/発表者名: 遠田義晴、中澤日出樹、遲澤遼一、佐藤純也、加藤博雄、匂坂康男
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学(神奈川県)
  • 年月日: 2010-03-20
• [学会発表] 高周波マグネトロンスパッタリング法によるボロンおよび窒素添加DLC膜の膜特性評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 中澤日出樹、須藤歩、江良浩介、佐藤佑典、真下正夫
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学(神奈川県)
  • 年月日: 2010-03-19
• [学会発表] 原子状水素を照射したダイヤモンドライクカーボン膜の化学結合状態 (2010)
  • 著者名/発表者名: 遲澤遼一、中澤日出樹、遠田義晴、末光眞希
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学(神奈川県)
  • 年月日: 2010-03-19
• [学会発表] Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides (2010)
  • 著者名/発表者名: H. Nakazawa, R. Osozawa, T. Okuzaki, N. Sato, M. Suemitsu, T. Abe
  • 学会等名: 21th European Conference on Diamond
  • 発表場所: Budapest, Hungary
• [学会発表] パルスバイアスを用いたプラズマCVD法によるSi添加DLC膜特性のパルスパラメータ依存性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 鎌田亮輔、中澤日出樹、三浦創史、阿部俊三、末光眞希
  • 学会等名: 第71回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学
• [学会発表] 石英基板上ダイヤモンド様炭素のPPT及びPLスペクトルに対するsp^3/sp^2比の影響 (2009)
  • 著者名/発表者名: 宮本達弥、三浦創史、境健太郎、福山敦彦、碇哲雄、中澤日出樹
  • 学会等名: 2009年度秋応用物理学会九州支部講演会
  • 発表場所: 熊本大学(熊本県)
  • 年月日: 2009-11-22
• [学会発表] A study of the photovoltaic performance of the DLC thin films by change of the sp^3/sp^2 ratio (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Miyamoto, T.Iki, K.Sakai, A.Fukuyama, T.Ikari, H.Nakazawa
  • 学会等名: 19th International Photovoltaic Science and Engineering Conference and Exhibition
  • 発表場所: ICC-JEJU(Jeju Special Self-Governing Province, Korea)
  • 年月日: 2009-11-11
• [学会発表] Silicon thermal oxidation and its thermal desorption investigated by Si 2p core-level photoemission (2009)
  • 著者名/発表者名: 遠田義晴、中澤日出樹、佐藤純也、加藤博雄、匂坂康男
  • 学会等名: International Workshop on Electronic Spectroscopy for Gas-phase molecules and Solid Surfaces
  • 発表場所: Hotel Taikanso(Matsushima, Miyagi)
  • 年月日: 2009-10-13
• [学会発表] Mechanical and Tribological Properties of Boron, Nitrogen-Coincorporated Diamond-Like Carbon Films Prepared by Reactive Radio-Frequency Magnetron Sputtering (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Nakazawa, A.Sudoh, M.Suemitsu, K.Yasui, T.Itoh, T.Endoh, Y.Narita, M.Mashita
  • 学会等名: 20^<th> European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides
  • 発表場所: Athens Ledra Marriott Hotel(Athens, Greece)
  • 年月日: 2009-09-09
• [学会発表] 間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長 (2009)
  • 著者名/発表者名: 齋藤健、永田一樹、西山洋、末光眞希、伊藤隆、遠藤哲郎、中澤日出樹、成田克、高田雅介、赤羽正志、安井寛治
  • 学会等名: 電子部品・材料研究会
  • 発表場所: 弘前大学(青森県)
  • 年月日: 2009-08-11
• [学会発表] 有機シランを用いたプラズマCVD法によるダイヤモンドライクカーボン薄膜の膜特性評価 (2009)
  • 著者名/発表者名: 三浦創史、中澤日出樹、西崎圭太、末光眞希、安井寛治、伊藤隆、遠藤哲郎、成田克
  • 学会等名: 電子部品・材料研究会
  • 発表場所: 弘前大学(青森県)
  • 年月日: 2009-08-10
• [学会発表] 原子状水素照射によるダイヤモンドライクカーボン膜の化学結合状態の変化 (2009)
  • 著者名/発表者名: 遲澤遼一、中澤日出樹、奥崎知秀、佐藤直之、遠田義晴、末光眞希
  • 学会等名: 電子部品・材料研究会
  • 発表場所: 弘前大学(青森県)
  • 年月日: 2009-08-10
• [学会発表] sp^3/sp^2比によるダイヤモンド様炭素薄膜の光学的特性変化 (2009)
  • 著者名/発表者名: 宮本達弥、壹岐俊洋、福山敦彦、碇哲雄、境健太郎、中澤日出樹
  • 学会等名: 第6回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム
  • 発表場所: 新潟コンベンションセンター朱鷺メッセ(新潟県)
  • 年月日: 2009-07-02
• [学会発表] パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長 (2009)
  • 著者名/発表者名: 齋藤健、永田一樹、西山洋、末光眞希、伊藤隆、遠藤哲郎、中澤日出樹、成田克、高田雅介、赤羽正志、安井寛治
  • 学会等名: 第6回Cat-CVD研究会
  • 発表場所: 石川県立音楽堂(石川県)
  • 年月日: 2009-06-20