| 研究課題/領域番号 |
21760580
|
|---|
| 研究種目 |
若手研究(B)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 研究分野 |
材料加工・処理
|
|---|
| 研究機関 | 北陸先端科学技術大学院大学 |
|---|
研究代表者 |
大平 圭介 北陸先端科学技術大学院大学, マテリアルサイエンス研究科, 助教 (40396510)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2009 – 2010
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2010年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2009年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
|
|---|
| キーワード | 熱処理 / 結晶化 / 多結晶シリコン / 太陽電池 / フラッシュランプアニール / スパッタリング / 簿膜 |
|---|
| 研究概要 |
化学気相堆積(CVD)法と比べ安全なスパッタ法により形成した非晶質シリコン(a-Si)膜を、ミリ秒の桁の瞬間熱処理であるフラッシュランプアニール(FLA)で結晶化することにより、安価なガラス基板に熱損傷を与えることなく、多結晶Si(poly-Si)膜を形成する手法を確立した。CVD a-Si膜の結晶化の際に必要なCr密着層が無くても、Si膜の剥離無く結晶化が可能であること、a-Si膜中の欠陥密度が大きく異なるにも関わらず、同様の機構での結晶化が起こることなどを明らかにした。
|
