| 研究課題/領域番号 |
21840009
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| 研究種目 |
研究活動スタート支援
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
菅原 克明 東北大学, 原子分子材料科学高等研究機構, 助教 (70547306)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
2,704千円 (直接経費: 2,080千円、間接経費: 624千円)
2010年度: 1,287千円 (直接経費: 990千円、間接経費: 297千円)
2009年度: 1,417千円 (直接経費: 1,090千円、間接経費: 327千円)
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| キーワード | 物性実験 / ナノ材料 / 表面・界面物性 |
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| 研究概要 |
近年、様々な興味深い物理特性を示すグラフェン(単層グラファイト)の研究が盛んに行われている。しかしながら、その微細電子構造や積層数の変化に伴う電子構造について未だ明らかされていない。そこで、SiC上に育成されたグラフェンの電子構造を明らかにする目的で高分解能角度分解光電子分光を行った。その結果、単層・2層グラフェンともに理想的な電子構造とは異なること構造であることを明らかにするとともに、その原因がSiCとグラフェン間に存在するバッファー層であることが示唆される。
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