| 研究課題/領域番号 |
21860017
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| 研究種目 |
研究活動スタート支援
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
田辺 克明 東京大学, ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構, 特任助教 (60548650)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
2,457千円 (直接経費: 1,890千円、間接経費: 567千円)
2010年度: 1,235千円 (直接経費: 950千円、間接経費: 285千円)
2009年度: 1,222千円 (直接経費: 940千円、間接経費: 282千円)
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| キーワード | 量子ドット / 半導体レーザ / シリコンフォトニクス / ウェハ貼り合わせ / 化合物半導体 / レーザ / 光集積回路 / ナノテクノロジー / シリコン / ヒ化ガリウム / フォトルミネッセンス / ヒ化インジウム |
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| 研究概要 |
次世代の低消費電力・高速演算・通信のための光電子集積回路の実現への布石となる、シリコン基板上の電流注入型・通信波長帯量子ドットレーザの作製に世界で初めて成功した。さらに、電磁気解析により、化合物半導体量子ドット層とシリコンとの接合に用いた金属薄膜層は、界面強度および導電性を高めるだけでなく、レーザ共振器からのシリコン基板側への光の漏れを抑制する効果も有することが分かった。
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