同一ポリタイプ4H-AlN/4H-SiCへテロ界面の電子デバイス応用に関する研究

• 研究課題/領域番号: 21860060
• 研究種目: 研究活動スタート支援
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 奈良先端科学技術大学院大学
• 研究代表者: 堀田 昌宏 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 助教 (50549988)
• 研究期間 (年度): 2009 – 2010
• 研究課題ステータス: 完了 (2010年度)
• 配分額: 2,678千円 (直接経費: 2,060千円、間接経費: 618千円); 2010年度: 1,274千円 (直接経費: 980千円、間接経費: 294千円); 2009年度: 1,404千円 (直接経費: 1,080千円、間接経費: 324千円)
• キーワード: ヘテロ接合デバイス / 炭化ケイ素(SiC) / 窒化アルミニウム(AlN) / 結晶成長 / シリコンカーバイド / 窒化アルミニウム / エピタキシャル成長

研究概要

4H-AlN/4H-SiC(11-20)へテロ界面物性の解明を目的として,ヘテロジャンクション電界効果トランジスタ(HFET)およびヘテロジャンクションを有するホール効果測定素子の作製を行った. SiCエピタキシャル成長やイオン注入など, SiCに関するプロセスは問題なく進めることができたが, AlNのエピタキシャル成長およびその後のプロセスにおいて課題が残り,最終的にデバイスを完成させることができなかった.今後,これらの課題を解決し,デバイスを完成させるとともに,デバイスの電気的特性評価を行うことで,界面物性の解明することを引き続き目指す.

研究成果

• [雑誌論文] Nonpolar 4H-Polytype AlN/AlGaN Multiple Quantum Well Structure Grown on 4H-SiC (1-100) (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Horita, T.Kimoto, J.Suda
  • 雑誌名: Applied Physics Express Vol.3 ページ: 51001-51003
  • NAID: 10027014547
  • 査読あり
• [雑誌論文] Nonpolar 4H-Polytype AlN/AlGaN Multiple Quantum Well Structure Grown on 4H-SiC(11_00) (2009)
  • 著者名/発表者名: Masahiro Horita, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: vol.5 ページ: 51001-51001
  • 査読あり
• [雑誌論文] Anomalously Large Difference in Ga Incorporation for AlGaN Grown on the (11-20) and (1-100) Planes under Group-III-Rich Conditions (2009)
  • 著者名/発表者名: M.Horita, T.Kimoto, J.Suda
  • 雑誌名: Applied Physics Express Vol.2 ページ: 91003-91005
  • NAID: 10025517458
  • 査読あり
• [学会発表] Growth and Characterization of Nonpolar 4H-AlN/AlGaN Multiple Quantum Wells on 4H-SiC Substrates (2009)
  • 著者名/発表者名: Masahiro Horita
  • 学会等名: The 8th International Conference on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: チェジュ国際会議場(韓国)
  • 年月日: 2009-10-20
• [学会発表] 4H-SiC上への無極性面4HポリタイプAlN/AlGaN MQW構造の作製と特性評価 (2009)
  • 著者名/発表者名: 堀田昌宏
  • 学会等名: 応用物理学会
  • 発表場所: 富山大学(富山)
  • 年月日: 2009-09-08