研究課題
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熱SiO_2膜上のSi量子ドット上にGeを選択成長させ、これを熱酸化して形成した極薄ゲルマニウム酸化膜上にSi量子ドット選択成長させることによって、自己整合的に一次元連結Siドットを形成することができることを明らかにした。さらには、n-Si(100)基板上に作成した一次元縦積み連結ドットを活性層としたAuゲート発光ダイオードを作成し室温におけるELを評価した結果、閾値電圧を超える順バイアス印加時において、金赤外領域の発光が認められ、Si-QDsを2層ランダム形成した場合と比べ、発光強度が増大する結果が得られた。これらと並行して、極薄熱SiO_2膜上のPt膜(～2.0nm)にTPJミリ秒熱処理を行うことで、面密度～3.0×10^<11>cm^<-2>、平均ドットサイズ～4.0nmのPt-NDsが形成できることを明らかにし、このPt-NDsをフローティングゲートに応用したMOSキャパシタにおいて、Pt-NDsの深い仕事関数を反映して、膜厚4.0nmのトンネルSiO_2膜においてもドット当たり約2.7個の電子を2時間以上Pt-NDに保持できることを実証した。
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すべて 雑誌論文 (42件) (うち査読あり 42件) 学会発表 (44件) 備考 (3件) 産業財産権 (2件) (うち外国 2件)
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