| 研究課題/領域番号 |
21860062
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| 研究種目 |
研究活動スタート支援
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 広島大学 |
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研究代表者 |
大田 晃生 広島大学, 大学院・先端物質科学研究科, 研究員 (10553620)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
2,626千円 (直接経費: 2,020千円、間接経費: 606千円)
2010年度: 1,235千円 (直接経費: 950千円、間接経費: 285千円)
2009年度: 1,391千円 (直接経費: 1,070千円、間接経費: 321千円)
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| キーワード | 抵抗変化型メモリ / メモリデバイス / 絶縁膜技術 / 光電子分光 / 化学結合状態分析 |
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| 研究概要 |
TiO_2を用いたMIMキャパシタにおいて、ノンポーラ型の抵抗変化スイッチング動作を確認し、電圧印加による抵抗変化後、放射光を用いた光電子分光分析からPt/TiO_2界面での酸化・還元反応が抵抗変化動作に重要であることを明らかにした。また、TiO_2への元素添加が化学結合状態やエネルギーバンド構造に与える影響を評価し、TiO_2中へのY添加により動作電圧のばらつき改善など安定した抵抗変化動作を実現した。
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