| 研究課題/領域番号 |
21F20054
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| 研究種目 |
特別研究員奨励費
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 外国 |
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| 審査区分 |
小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
大友 明 東京工業大学, 物質理工学院, 教授 (10344722)
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| 研究分担者 |
SAHOO RAMCHANDRA 東京工業大学, 物質理工学院, 外国人特別研究員
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| 研究期間 (年度) |
2021-04-28 – 2023-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2022年度)
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| 配分額 *注記 |
2,300千円 (直接経費: 2,300千円)
2022年度: 1,100千円 (直接経費: 1,100千円)
2021年度: 1,200千円 (直接経費: 1,200千円)
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| キーワード | 遷移金属酸化物 / ダブルペロブスカイト型構造 / 磁性材料 / 交換バイアス / 人工超格子構造 / 薄膜電子材料 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
ダブルペロブスカイト型酸化物は，高温で強磁性を示す重要な磁性材料である。本研究では、この磁性材料を用いた種々の薄膜積層構造を作製し、組成・構造を精緻に制御した接合界面の磁気応答を系統的に調べる。また、そのことによって磁気応答の起源を明らかにし、室温で動作する磁気デバイスへの応用を目指す。
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| 研究実績の概要 |
本年度は，反強磁性絶縁体LaMnO3と常磁性金属LaNiO3からなる超格子構造薄膜を作製し，原子スケールで積層周期を変えた際に，界面強磁性の特性がどのように変化するか詳細に調べることに取り組んだ。前年度取り組んだダブルペロブスカイト型La2MnCoO6と同様に，人工的に作り出した本系でも交換バイアスが発現することが知られている。また，(111)面で接合した界面では，Mn3+イオンからNi3+イオンへの電子供与に伴って界面近傍のMn4+/Ni2+イオンペア上のスピンが互いに平行に配列し，強磁性的な磁気秩序が現れることが知られている。本研究では，界面電荷移動の解析を通じて，界面における電子・スピン・軌道の自由度が界面磁性に与える影響を明らかにすることを目的とした。パルスレーザ堆積法を用いて積層周期を様々に変えた超格子構造薄膜を作製し，放射光X線吸収分光法により，MnとNiの価数を定量的に評価した。界面電荷移動量と磁気特性は，積層周期に依存し，互いに相関があることを明らかにした。特に，ダブルペロブスカイト型La2MnNiO6に相当する，1ユニットセルずつ積層した構造において，界面電荷移動量と界面強磁性が極大を示すことを見出すことに成功した。さらに，LaMnO3中のLa3+イオンをGd3+イオンで置換した超格子構造を作製し，各々の単位格子層数を変えた際の電荷移動と磁気特性のふるまいを調べた。その結果，特定の積層周期において，上記の元素置換により界面電荷移動量が増えることを見出した。そのことがMnイオンを取り囲む酸素八面体の回転角，すなわちMn-O-Mnの結合角に支配されていることを明らかにした。加えて，元素置換が界面における強磁性的な磁気秩序を妨げないこと，および低温における飽和磁化がf電子のスピンモーメントの寄与により増大することを見出した。
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| 現在までの達成度 (段落) |
令和4年度が最終年度であるため、記入しない。
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| 今後の研究の推進方策 |
令和4年度が最終年度であるため、記入しない。
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