| 研究課題/領域番号 |
21H01303
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(B)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 審査区分 |
小区分21010:電力工学関連
|
|---|
| 研究機関 | 筑波大学 |
|---|
研究代表者 |
岩室 憲幸 筑波大学, 数理物質系, 教授 (50581203)
|
|---|
| 研究分担者 |
原田 信介 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 研究チーム長 (20392649)
矢野 裕司 筑波大学, 数理物質系, 准教授 (40335485)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2021-04-01 – 2025-03-31
|
| 研究課題ステータス |
交付 (2021年度)
|
| 配分額 *注記 |
16,250千円 (直接経費: 12,500千円、間接経費: 3,750千円)
2022年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2021年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
|
|---|
| キーワード | SiC MOSFET / 高信頼性特性 / 負荷短絡 / 機械応力 / 残留ダメージ |
|---|
| 研究開始時の研究の概要 |
本研究は、SiC-MOSFETの長期信頼性実現に関するものである。近い将来実現が予想される、インテリジェント機能（異常検知や保護機能）を具備したSiC MOSFETにおいて、SiC MOSFET内の構成部材（SiC、シリコン酸化膜、 金属電極等）間の線膨張係数の違いや各層の形状に注目し、上記インテリジェント機能動作時に素子に印加される高電圧・大電流といった電気的負荷と機械応力との相関性を、詳細なTCADシミュレーション技術と素子破壊試験を通して解析し、高信頼性SiC-MOSFET構造を実証する研究である。
|
