| 研究課題/領域番号 |
21J13665
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| 研究種目 |
特別研究員奨励費
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 国内 |
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| 審査区分 |
小区分28020:ナノ構造物理関連
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
遠山 諒 東京工業大学, 物質理工学院, 特別研究員(DC2)
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| 研究期間 (年度) |
2021-04-28 – 2023-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2021年度)
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| 配分額 *注記 |
1,500千円 (直接経費: 1,500千円)
2021年度: 800千円 (直接経費: 800千円)
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| キーワード | スピントロニクス / 規則合金 / 強磁性ナノワイヤ / ナノ構造誘起規則化 / 電子線リソグラフィ / シリコン基板 / 表面拡散 / 異常ホール効果 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
本研究では、電子線リソグラフィ（EBL）と電子線蒸着を組み合わせたリフトオフプロセスにより、線幅20 nmのワイヤ形状のCo/PtあるいはFe/Ptの積層構造をシリコン基板上に作製し、アニール処理を施すことで、極めて大きな表面張力に起因した引張応力により、ナノ構造に誘起されたL10規則化を実現する。また、ワイヤ形状のナノ構造誘起L10規則化強磁性体を用いて、強磁性磁気トンネル接合素子や強磁性単電子トランジスタ等のシリコン基板上次世代単電子スピントロニクスデバイスを創製する。
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| 研究実績の概要 |
本年度は、電子線リソグラフィと電子線蒸着を組み合わせたリフトオフプロセスの最適化により、線幅20-30 nmの(Co/Pt)n多積層ナノワイヤをSi/SiO2基板上に再現性よく作製するための造形プロセスを確立した。その後、作製したナノワイヤにアニール処理を施すことで、10 nmスケールの非常に小さな曲率半径に起因したアニール中の原子の表面拡散と極めて大きな内部ストレスをL10規則化の駆動力として利用した、CoPtナノワイヤの「ナノ構造誘起L10規則化」を実現した。アニール後のCoPtナノワイヤのナノ構造誘起L10規則化を、走査電子顕微鏡 (SEM)、放射光を用いたすれすれ入射X線回折 (GI-XRD)、振動試料型磁力計 (VSM)、走査透過電子顕微鏡 (STEM) により解析した。二次元GI-XRD画像より、L10-CoPt 001, 110に起因する超格子反射を観察したことから、ナノワイヤのL10規則化を確認した。SEM観察とVSM測定結果より、ナノ構造誘起L10規則化CoPt強磁性ナノワイヤは、20-30 nmの線幅を有し、10 kOe以上の大きな保磁力を示すことを明らかにした。また、断面STEM像より、L10-CoPtに起因するCoとPtの単原子積層構造を確認した。さらに、極微電子回折 (NED) においても、L10-CoPtに起因する超格子反射を観察したことから、ナノワイヤのL10規則化を確認した。また、本年度は、ナノ構造誘起L10規則化CoPt強磁性ナノワイヤを用いてホール素子を作製し、異常ホール効果の測定を行った。その結果、ナノワイヤの線幅が10 umから100 nmに減少するにつれてホール抵抗率が減少する、ホール抵抗率に対するナノワイヤの線幅依存性を確認した。
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| 現在までの達成度 (段落) |
翌年度、交付申請を辞退するため、記入しない。
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| 今後の研究の推進方策 |
翌年度、交付申請を辞退するため、記入しない。
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