研究課題/領域番号 |
21K04150
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分21050:電気電子材料工学関連
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研究機関 | 北見工業大学 |
研究代表者 |
武山 眞弓 北見工業大学, 工学部, 教授 (80236512)
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研究分担者 |
佐藤 勝 北見工業大学, 工学部, 准教授 (10636682)
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研究期間 (年度) |
2021-04-01 – 2024-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2021年度)
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配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2023年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2022年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2021年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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キーワード | LSI / 3次元集積回路 / Cu配向性 / 拡散バリヤ / 配向制御 |
研究開始時の研究の概要 |
Cu(111)配向はエレクトロミグレーション耐性に最も優れた面であることが広く知られているが、従来はNbなどの格子整合に優れた材料を下地として用い、かつバリヤ材料を併用しなければならず、微細配線には適用が難しかった。我々は優れた拡散バリヤ特性を持つ材料を用いたCu(111)配向の実現を目指し、5nmのTaWN膜を用いることによってCu(111)配向実現の可能性を示唆した。また、これまで困難とされた極薄バリヤの構造解析に着手し、Cuとの配向制御のメカニズムを探る。
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