研究課題/領域番号 |
21K04163
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分21050:電気電子材料工学関連
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研究機関 | 松江工業高等専門学校 |
研究代表者 |
市川 和典 松江工業高等専門学校, 電子制御工学科, 准教授 (90509936)
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研究分担者 |
大島 多美子 佐世保工業高等専門学校, 電気電子工学科, 准教授 (00370049)
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研究期間 (年度) |
2021-04-01 – 2024-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2022年度)
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配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2023年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2022年度: 390千円 (直接経費: 300千円、間接経費: 90千円)
2021年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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キーワード | グラフェン / ヘテロ接合 / 薄膜トランジスタ |
研究開始時の研究の概要 |
我々はグラフェン合成前のNiを酸化することで、グラフェンのデバイス化に必須である転写やナノ構造を用いずとも、グラフェンのトランジスタが高性能化することを明らかにしてきた。本研究ではより高い性能のグラフェントランジスタの実現のために、3年の研究期間によりグラフェンの合成条件、高純度で蒸着されたNi薄膜の酸化条件、アセチレンガスの導入条件を変化させ、最適条件の探索を行う。その評価にトランジスタ構造による電気特性評価だけではなく、研究分担者の協力によりX線による構造解析やNi内部の結晶構造をについて分析を行う。
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研究実績の概要 |
Siに代わる高速のトランジスタ実現のためグラフェンを用いた高性能な薄膜トランジスタ(TFT)の研究を行っている。SiTFTをグラフェンTFTに置き換えるための条件として、ナノ構造の作製や修飾や転写を行わず、かつ汎用性の高いガスを用いてヘテロ接合を作り、高移動度を維持したまま高いON/OFF比を得る新たな技術が必要である。この研究の成功のカギは、どれだけパラメータを変えて合成条件の最適化を行うかにある。 2年目となる今年度はNi中への炭素の導入時間の最適化を行う研究である。1年目に決定した合成温度900℃において炭素供給源となるアセチレンガスの導入時間を1分から10分までの間で変化させ、電気特性評価、ラマン分光測定によるグラフェンの膜質および、X線回折によるグラフェン合成後のNi化合物の膜質評価を行った。更に酸素濃度についても85%から100%と変化させ同様に評価を行った。
研究結果について これまで800℃の合成温度においてグラフェンの合成にアセチレンガスを4分間の導入が必要であったが、900℃では4分以下でもグラフェンは合成された。炭素導入量を大きくすると電気特性の低下が顕著に表れ、逆に炭素導入量を少なくなると電気特性が向上し1分50秒を境に電気特性が低下するV字型の特性を示した。この電気特性の変化をラマン分光測定により評価すると、グラフェンの膜質はほとんど変化は見られなかった。しかしX線回折において炭素導入量が少ないとNiCO3に加えNiやNiCなどが混在し、炭素導入量が多い場合、Niは無くなるがNiCO3とNiOのピークが見られた。電気特性の変化は下のNi化合物が重要であることが明らかとなった。 酸素依存性について酸素濃度100%でも従来の90%に比べほぼ変化は無く、XRDにもNiOのピークが見られることから、90%の酸素濃度が最適条件であることが分かった。
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現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
理由
1年目の合成温度を決定し、2年目に炭素導入量と酸素濃度の関係を明らかにすることができ、予定通り研究が進められているため概ね順調である。
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今後の研究の推進方策 |
最終年度はNiの厚さを変えると層数が変化し、TFTの性能が向上すると考えられる。Niの蒸着時間を変えて200~500nmまで100nmずつ抵抗線Niを蒸着し、これまでの条件でグラフェンの合成とTFTを作製し同様に評価を行う。最適値から±50nm変化させTFTを作製し最適値とする。その後現在のSiO2絶縁膜をアルミナに変え、その基板上に最適化された条件でグラフェンを作製し、この研究期間で最も性能の高いTFTを目指す。
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