| 研究課題/領域番号 |
21K05071
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分33020:有機合成化学関連
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| 研究機関 | 大阪公立大学 (2022-2023)
大阪府立大学 (2021) |
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研究代表者 |
津留崎 陽大 大阪公立大学, 大学院理学研究科, 准教授 (40623848)
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| 研究期間 (年度) |
2021-04-01 – 2024-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2023年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2023年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2022年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2021年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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| キーワード | ジホスフェン / 遷移金属錯体 / 触媒反応 / 二座配位子 / ホスフィンボラン / ビナフチル / リン / ロジウム / 配位子交換 / 1,1’-ビナフチル / テルアリール / 金 / 軸不斉 / パラジウム / 配位子 / 遷移金属 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
低配位リン化合物の一つであるジホスフェンは、特徴的な低いLUMOを反映した電子受容性配位子として働くことが期待されるが、その特性を十分に発揮させるには至っていない。本研究では、研究代表者が開発したビナフチル置換ジホスフェンを用いた遷移金属触媒反応に関する知見をもとに、異なる配位空間を持つ新規配位子の開発と、その後周期遷移金属錯体を用いた高効率な触媒的有機合成反応を達成する。
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| 研究成果の概要 |
本研究課題では、高活性・高選択的な遷移金属触媒反応に利用可能な新規ジホスフェン配位子の開発を目指して、エチレン架橋ビス(ビナフチルジホスフェン)とジホスフェン－ホスフィンボランの二種類の二座配位子を開発した。これらの配位子を用いることにより、パラジウム(II)およびロジウム(I)錯体を得ることに成功した。特に、P=P部位の高い電子受容性を反映して、パラジウムの錯成においてパラジウム上の塩素原子がジホスフェン上のリン原子へと転位する挙動が見られた。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
高活性・高選択的な遷移金属触媒反応の実現には、遷移金属元素上の配位子の選択が極めて重要である。これまでに電子的・立体的に多様なホスフィンが開発されてきたが、リン－リン二重結合を有するジホスフェンについては未開拓の領域である。本研究では、新たに二種類のジホスフェン二座配位子を開発し、その遷移金属錯体を単離することに成功した。配位子自体の供給の困難さや触媒活性の低さなどから、本課題に掲げた「高活性」の触媒反応の実現には至らなかったが、本知見は今後の配位子開発に活かされるものと考えている。
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