| 研究課題/領域番号 |
21K14212
|
|---|
| 研究種目 |
若手研究
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 審査区分 |
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
|
|---|
| 研究機関 | 兵庫県立大学 |
|---|
研究代表者 |
山川 進二 兵庫県立大学, 高度産業科学技術研究所, 助教 (90876252)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2021-04-01 – 2024-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2023年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2023年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2022年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2021年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
|
|---|
| キーワード | EUVリソグラフィ / フォトレジスト / 軟X線共鳴散乱 / 線幅ばらつき / EUV干渉露光 / EUVフラッド露光 / 現像速度 / 高分子合成 / 接触角測定 / XANES / 半導体微細加工 / 軟X線 / LWR |
|---|
| 研究開始時の研究の概要 |
極端紫外線（EUV）リソグラフィにおいて、10 nm以下の露光後パタンにおける線幅ばらつきを1 nm以下に抑制する必要がある。いくつか考慮される要因のうち、フォトレジスト薄膜中の化学組成分布の影響についても指摘されていた。近年、薄膜中の化学組成分布がミクロスケールで不均一であると実験的に解明されつつあるが、パタン形成後の線幅粗さに与える影響に関する理解には至っていない。本研究では、既存のレジストおよび合成した新規レジストについてレジスト薄膜中の化学組成分布を調査し、続く露光後パタンの線幅粗さ評価までを一貫して行う。これらを通じて、レジストの構成成分が線幅粗さに与える影響の解明を目指す。
|
| 研究成果の概要 |
パターニング後のレジストの線幅ばらつきを低減することがEUVレジストにおける最重要課題である。レジスト薄膜中の化学組成分布を均一にすることが鍵とされているが、化学組成分布とパターニング後の線幅ばらつきとの関係性は明らかとされていなかった。本研究ではモデルレジストについて接触角測定および軟X線分析により、化学組成の均一性を評価し、レジスト中の化学組成の極性差が化学組成分布に影響することを明らかとした。さらにパターニング評価より、化学組成分布と線幅ばらつきは単純な関係性でなく、現像プロセスも含めて考えなければならない複雑な系であることを示した。
|
| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
半導体の性能向上にはフォトレジストの性能向上が必須である。本研究ではフォトレジストの化学組成分布評価からパターニング評価までを包括的に検討した。線幅ばらつきの抑制は、化学組成分布を単純に均一にすればよいという話ではなく、どのような凝集構造が現像液とどう相互作用するのかも含めて考える必要があることを指摘した。低線幅ばらつきを指向するフォトレジスト開発指針につながるため、社会的な意義が大きい。
|
