| 研究課題/領域番号 |
21K14501
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| 研究種目 |
若手研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 審査区分 |
小区分28030:ナノ材料科学関連
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
鈴木 大地 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究員 (80823640)
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| 研究期間 (年度) |
2021-04-01 – 2023-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2022年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2022年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2021年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
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| キーワード | カーボンナノチューブ / テラヘルツ / ドーピング / レーザーアブレーション / 熱電発電 / 非破壊検査 / フレキシブルデバイス / 熱電変換 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
本研究では、CNT光熱電変換素子の基盤技術の構築と発展を目的とし、超音波霧化ドープ法による微細PNパターニング技術及びパリレンコーティングによる長期性能安定化技術を開発するとともに、単一センサーを高密度にアレイ化した高感度高耐久THzセンサーパッチを実現する。提案技術はCNT膜デバイス全般に適用できる汎用性の高い技術であり、関連研究全体の深化・発展に寄与する基盤技術として広く活躍することが期待される。
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| 研究成果の概要 |
本研究ではカーボンナノチューブ（CNT）膜デバイスの深化・発展を目的とし、関連研究全体の基盤技術となる微細PNパターニング技術及び長期性能安定化技術を開発し、単一センサーを高密度アレイ化した高感度高耐久THzセンサーパッチを実現した。加えて、開発したTHzセンサーパッチを使用して強力な産業用品質検査応用を達成することで本研究成果の有用性を示した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
半導体微細化の極限が訪れつつある近年、シリコンに替わる革新材料としてCNTが注目を集めており、様々なデバイスが開発されている。しかしボトルネックとなっているのが、CNT膜への微細PNパターニング技術の欠落である。そこで本研究では、CNT膜デバイスの深化・発展を目的とし、CNT膜への微細PNパターニング技術及び長期性能安定化技術を開発した。本研究成果は関連研究全体の基盤技術として広く活用されることが期待される。
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