| 研究課題/領域番号 |
21K18830
|
|---|
| 研究種目 |
挑戦的研究(萌芽)
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 審査区分 |
中区分26:材料工学およびその関連分野
|
|---|
| 研究機関 | 九州大学 |
|---|
研究代表者 |
吉武 剛 九州大学, 総合理工学研究院, 教授 (40284541)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2021-07-09 – 2024-03-31
|
| 研究課題ステータス |
交付 (2022年度)
|
| 配分額 *注記 |
6,500千円 (直接経費: 5,000千円、間接経費: 1,500千円)
2023年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
2022年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
2021年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
|
|---|
| キーワード | ダイヤモンド / ナノダイヤモンド / 量子センター / NVセンター / 薄膜創製 / カラーセンター |
|---|
| 研究開始時の研究の概要 |
ナノダイヤモンド膜中への単一光子源の形成のための新たな物理的手法を創成することを目的として研究を行う．具体的には，物理気相成長法により成長するナノダイヤモンド膜にNVセンターをはじめとする単一光子源を形成するための，物理現象の理解を含めた，基盤技術を確立する．Si-VやGe-Vも近年注目を集めているが，本作製法ではターゲットに予めSi等を添加しておけば，試料作製が可能である．レーザー照射も適宜組み合わせてプロセス開発を行い，単一光子源の特性としては高輝度・高寿命の達成を目指す．
|
| 研究実績の概要 |
ダイヤモンド格子中のNVセンターをはじめとする単一光子源は、量子コンピューティングや超高感度磁気センサーへの応用が期待されており、世界各国で国家プロジェクトが走っている状況である。その一方でその形成方法は既存の半導体に使われてきた技術で行われており、方法としては特に目新しいものはない。本研究では，ナノダイヤモンド膜中への単一光子源の形成のための新たな物理的手法を創成することを目的として研究を行っている。具体的には，物理気相成長法により成長するナノダイヤモンド膜にNVセンターをはじめとする単一光子源を形成するための，物理現象の理解を含めた、基盤技術を確立する。
同軸型アークプラズマ堆積（CAPD）法によりNドープナノダイヤモンド膜の堆積を行い、生成膜のNVセンター形成をPL測定に加えて、共焦点レーザー走査型蛍光顕微鏡によりその形成分布を評価した。膜作製時のプロセスの最適化により膜一面に渡ってNVセンターの発光が得られるようになった。膜中の窒素ドープ量は膜作製時の窒素雰囲気圧力により調整するがその最適化が進んだことが一因である。膜作製中の負バイアス印加がダイヤモンドの成長促進に極めて有効であることがわかっている。バイアス条件の更なる最適化により、膜の硬度を室温プロセスにもかかわらず多結晶ダイヤモンドと同硬度の85 GPaまで高めることに成功している。ダイヤモンド結晶の密度および質が高まっていることが予想され、そのこともNVセンターの発光増強に寄与していると考えられる。
|
| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
1: 当初の計画以上に進展している
理由
同軸型アークプラズマ堆積法のプロセス最適化により、膜中一面にわたってナノダイヤモンド中にNVセンターをas-depoで形成できることを実証した。
|
| 今後の研究の推進方策 |
今後はNVセンターの発光特性を詳細に調べて、膜作成プロセスにフィードバックをかけて、特性改善を行っていく。さらには、as-depo膜に酸素プラズマによるエッチング処理、水書プラズマによる終端処理、レーザーアニールなどの手段を適用していく。
|
