高い磁気力を等方的に得られる3次元ナノ構造磁性体の開発

• 研究課題/領域番号: 21K18994
• 研究種目: 挑戦的研究(萌芽)
• 配分区分: 基金
• 審査区分: 中区分35:高分子、有機材料およびその関連分野
• 研究機関: 千葉大学
• 研究代表者: 桑折 道済 千葉大学, 大学院工学研究院, 准教授 (80512376)
• 研究期間 (年度): 2021-07-09 – 2024-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2021年度)
• 配分額: 6,500千円 (直接経費: 5,000千円、間接経費: 1,500千円); 2023年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円); 2022年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円); 2021年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
• キーワード: キュービック液晶 / 磁性材料 / ホルミウム

研究開始時の研究の概要

我々はこれまでに、磁気特性に優れるホルミウムと、β-ジケトン型分子からなるディスク状分子を、自己組織化的に積み上げることで1次元カラムナー磁性液晶を構築した。本研究では、室温でキュービック液晶を形成するβ-ジケトン型分子構造を探索し、ホルミウムが3次元的に配列したナノ構造磁性体を構築する。磁性体であるホルミウムの配列構造を3次元空間で制御することで、どの方向からも等方的に高い磁気力を発揮できる磁性材料の創出に関する、新たな概念の確立に挑戦する。