| 研究課題/領域番号 |
22000011
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| 研究種目 |
特別推進研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
工学
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
財満 鎭明 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (70158947)
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| 研究分担者 |
竹中 充 東京大学, 工学系研究科, 准教授 (20451792)
坂下 満男 名古屋大学, 工学研究科, 助教 (30225792)
田中 信夫 名古屋大学, エコトピア科学研究所, 教授 (40126876)
竹内 和歌奈 名古屋大学, 工学研究科, 助教 (90569386)
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| 連携研究者 |
中塚 理 (20334998)
高木 信一 (30372402)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
447,980千円 (直接経費: 344,600千円、間接経費: 103,380千円)
2013年度: 31,850千円 (直接経費: 24,500千円、間接経費: 7,350千円)
2012年度: 129,740千円 (直接経費: 99,800千円、間接経費: 29,940千円)
2011年度: 136,240千円 (直接経費: 104,800千円、間接経費: 31,440千円)
2010年度: 150,150千円 (直接経費: 115,500千円、間接経費: 34,650千円)
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| キーワード | ゲルマニウム / 錫 / 歪 / エピタキシャル成長 / CMOS / 表面・界面 / スズ(錫) / エネルギーバンド / ゲートスタック / スズ / ひずみ / 結晶成長 / 高キャリア移動度 / 欠陥 / LSI |
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| 研究概要 |
CMOSデバイスの省電力、高速化に向けて、高キャリア移動度歪GeおよびGeSn層の結晶成長と電子物性制御に関する研究を推進した。基板構造の制御、低温成長、歪構造制御技術を駆使して、27%にまで達する超高Sn組成GeSn層成長やGeエピタキシャル層の双晶・積層欠陥低減を実現した。さらに、GeSn層の点欠陥、キャリア物性やMOS界面構造制御技術を構築するとともに、GOIおよびSGOI基板を作製し、その高キャリア移動度を実証した。
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| 評価記号 |
検証結果 (区分)
A
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