| 研究課題/領域番号 |
22241035
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
マイクロ・ナノデバイス
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
岡田 至崇 東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授 (40224034)
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| 研究分担者 |
喜多 隆 神戸大学, 大学院・工学研究科, 教授 (10221186)
赤羽 浩一 情報通信研究機構, 光ネットワーク研究所, 主任研究員 (50359072)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
47,450千円 (直接経費: 36,500千円、間接経費: 10,950千円)
2012年度: 8,970千円 (直接経費: 6,900千円、間接経費: 2,070千円)
2011年度: 8,970千円 (直接経費: 6,900千円、間接経費: 2,070千円)
2010年度: 29,510千円 (直接経費: 22,700千円、間接経費: 6,810千円)
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| キーワード | 量子ドット / 自己組織化成長 / 太陽電池 / 中間バンド型太陽電池 / 超高速光分光 / 高速キャリアダイナミクス / 結合量子ドット / 量子ドット超格子 / 高速キャリア緩和過程 |
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| 研究概要 |
InAs/GaAsSb系タイプII量子ドットを応用した中間バンド型太陽電池の作製と特性評価の研究を行った。励起キャリアの長寿命化の効果により、中間バンドを介した2段階の光吸収過程を室温で明瞭に観察することに成功した。次に、量子構造における光励起キャリアの励起・緩和過程を超高速で追跡し、光応答特性を明らかにするため、ポンプ・プローブ方式の超高速発光寿命特性を解析した。Siを直接ドープしたInAs/GaAs量子ドットでは無輻射遷移の抑制効果の励起エネルギー依存の詳細を明らかにするとともに、直接ドープによってチャージした量子ドットでは光励起したキャリアが再び基底状態にまで緩和する過程を抑制できることを見出した。さらに、量子ドット超格子により形成された中間バンドは、量子ドット端面からの発光がTEモード、TMモードが等価に近づくことで形成が確認できる。InAs量子ドットのスペーサー層の膜厚コントロールによるEL発光の偏光依存性について測定を行った結果、中間層10nmの試料においてはTM偏光の発光が大きくなっており、量子ドット間の結合が強くなっていることを確認した。
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