研究課題/領域番号 |
22241036
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研究種目 |
基盤研究(A)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
マイクロ・ナノデバイス
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研究機関 | 東京大学 |
研究代表者 |
平川 一彦 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (10183097)
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連携研究者 |
荒川 泰彦 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (30134638)
岩本 敏 東京大学, 生産技術研究所, 准教授 (40359667)
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研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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配分額 *注記 |
47,580千円 (直接経費: 36,600千円、間接経費: 10,980千円)
2012年度: 11,830千円 (直接経費: 9,100千円、間接経費: 2,730千円)
2011年度: 11,830千円 (直接経費: 9,100千円、間接経費: 2,730千円)
2010年度: 23,920千円 (直接経費: 18,400千円、間接経費: 5,520千円)
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キーワード | 半導体超格子 / 量子ドット / テラヘルツ / 半導体量子構造 / 超格子 / 単一電子トランジスタ / 量子効果 / 微小共振器 / サブバンド間遷移 / ブロッホ振動 |
研究概要 |
我々は、半導体量子構造を強いテラヘルツ電磁場の中に置き、その量子伝導を制御することを目的として研究を行った。主な成果は以下の通りである;1)半導体超格子に強いテラヘルツ電磁波を照射することにより、高電界ドメインの発生を抑制することに成功した。2)量子ドットにナノギャップ電極を形成することにより、量子ドットとテラヘルツ電磁波の強い結合を実現し、テラヘルツ光子支援トンネル効果により単一電子の伝導を制御することに成功した。
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