| 研究課題/領域番号 |
22246006
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
長谷川 修司 東京大学, 大学院・理学系研究科, 教授 (00228446)
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| 研究分担者 |
平原 徹 東京大学, 大学院・理学系研究科, 助教 (30451818)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
49,660千円 (直接経費: 38,200千円、間接経費: 11,460千円)
2012年度: 5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2011年度: 4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2010年度: 39,520千円 (直接経費: 30,400千円、間接経費: 9,120千円)
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| キーワード | 超伝導 / マイクロ4端子プローブ / モノレイヤー / 表面状態超伝導 / 表面超構造 / 反弱局在 / ラシュバ効果 / ビスマス / 超薄膜 / 電子電子相互作用 / 量子干渉効果 / 表面状態伝導 / 表面電気伝導 |
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| 研究概要 |
今まで我々は10年以上にわたって,マイクロ4端子プローブ法という新しい実験手法を開発し,それらを用いて表面・モノレイヤー(単原子層)の伝導物性の研究を展開してきた。本研究では,さらにその装置性能を向上させ、ミリケルビンの超低温(0.4K)および7Tまでの強磁場中でのマイクロ4端子プローブ測定を可能とし、モノレーヤー(単原子層)超伝導の探索やモノレーヤー磁気輸送の研究に発展させる。
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