研究課題
基盤研究(A)
シリコン光集積回路を実現するための基礎として、シリコン導波路に発光デバイス用の化合物半導体及び非相反デバイス用磁気光学結晶を直接接合する方法を研究し、接合条件を明らかにした。この方法を用いて、シリコン導波路で光アイソレータ及び光サーキュレータを製作し、それぞれ最大のアイソレーション30dB及び15dBの良好な特性を実現した。また、シリコン導波路型機能素子として97%のTE-TMモード変換率をもつモード変換器、シリコン導波路と光電変換用面実装フォトダイオード間をランダム偏波に対して86%の結合効率で光結合するアポタイズグレーティング結合器を得ることができた。さらに、これらの機能素子を集積化したシリコン光集積回路を形成するためのデバイス製作プロセスを検討した。
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