| 研究課題/領域番号 |
22246040
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
小田 俊理 東京工業大学, 量子ナノエレクトロニクス研究センター, 教授 (50126314)
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| 研究分担者 |
小寺 哲夫 東京工業大学, 量子ナノエレクトロニクス研究センター, 助教 (00466856)
内田 建 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 准教授 (30446900)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
48,750千円 (直接経費: 37,500千円、間接経費: 11,250千円)
2012年度: 11,440千円 (直接経費: 8,800千円、間接経費: 2,640千円)
2011年度: 11,700千円 (直接経費: 9,000千円、間接経費: 2,700千円)
2010年度: 25,610千円 (直接経費: 19,700千円、間接経費: 5,910千円)
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| キーワード | 薄膜 / 量子構造 / シリコン量子ドット / ナノ結晶配列制御 / 量子情報デバイス / 少数電荷センサ / スピン制御量子ビット / ナノ結晶シリコン集積化 / 単電子デバイス / レーザアニーリング / 2重結合量子ドット |
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| 研究概要 |
ボトムアップ法とトップダウン法の結合により、ナノスケールのシリコン量子ドットデバイスを作製し、量子情報素子への応用を目指した研究を行った。ナノ結晶シリコンの粒径制御にはピエゾバルブが、表面酸化膜の制御にはラジカル窒化法が、3次元配列にはディップコーティング法が有効であることを明らかにした。多重結合量子ドットと単電子トランジスタ電荷検出素子を集積化したデバイスを作製し、量子ドット中の少数電荷を制御することに成功した。
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