| 研究課題/領域番号 |
22246078
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
金属物性
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| 研究機関 | 東北学院大学 (2011-2012)
東北大学 (2010) |
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研究代表者 |
土井 正晶 東北学院大学, 工学部, 教授 (10237167)
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| 研究分担者 |
佐橋 政司 東北大学, 工学研究科, 教授 (20361123)
三宅 耕作 東北大学, 工学研究科, 助教 (20374960)
今村 裕志 独立法人産業技術総合研究所, 主任研究員 (30323091)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
47,970千円 (直接経費: 36,900千円、間接経費: 11,070千円)
2012年度: 8,710千円 (直接経費: 6,700千円、間接経費: 2,010千円)
2011年度: 20,150千円 (直接経費: 15,500千円、間接経費: 4,650千円)
2010年度: 19,110千円 (直接経費: 14,700千円、間接経費: 4,410千円)
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| キーワード | 電子・磁気物性 / スピンエレクトロニクス / エピタキシャル / 自己組織化 / 磁気抵抗効果 / ナノ接点 / スピンダイナミクス / 人工格子 / スピントルク / マイクロ波発振 |
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| 研究概要 |
エピタキシャル Alternate Monatomic Layered (AML)磁性体/非磁性体界面のスピン依存界面抵抗に着目し、中間層材料を変えた CPP(Current Perpendicular to Plane) GMR 素子を試作し、Ag 中間層を用いた場合に、0.84 の大きな γ 値が得られること、またその MR 特性は、 AML 膜厚 5nm で面積抵抗変化量△RA が 3mΩμm2以上、 MR 比>5%が得られることを見出した。 また、 アンドレーフ反射法によって AML Fe/Co 薄膜のスピン分極率が 0.60 であることを実験的に検証し、規則度の増加によるスピン分極率の増加を確認した。これらの結果から 高 MR を有するナノコンタクト MR 素子に対する材料設計指針を得た。
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