| 研究課題/領域番号 |
22310062
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
ナノ構造科学
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| 研究機関 | 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所 |
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研究代表者 |
影島 博之 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 主任研究員 (70374072)
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| 研究分担者 |
小野 行徳 富山大学, 大学院・工学研究部, 教授 (80374073)
登坂 仁一郎 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 研究員 (30515573)
藤原 聡 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 主幹研究員 (70393759)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
19,240千円 (直接経費: 14,800千円、間接経費: 4,440千円)
2012年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2011年度: 7,280千円 (直接経費: 5,600千円、間接経費: 1,680千円)
2010年度: 9,230千円 (直接経費: 7,100千円、間接経費: 2,130千円)
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| キーワード | ナノ構造物性 / ナノ構造 / ＩＶ族半導体 / 誘電率 / ナノキャパシタ / 第一原理計算 / ＥＬスペクトル / 谷分離効果 / IV族半導体 / 不純物準位 / ELスペクトル / シュタルク効果 |
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| 研究概要 |
第一原理計算法とEFED 法を用いて、(1) IV 族半導体ナノ構造における誘電率降下の理論計 算による確認、(2) 薄層化の極限で誘電率が抑制された状況のIV 族半導体物性の探求、(3) IV 族半導体誘電率制御のための成長機構の探求、を行った。また発光分光法を用いて、(4) IV 族 半導体ナノ構造中不純物の光電気測定、(5) IV 族半導体ナノ構造の界面制御効果の検討、を行 った。
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