| 研究課題/領域番号 |
22310077
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
ナノ材料・ナノバイオサイエンス
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| 研究機関 | 日本電信電話株式会社ＮＴＴ物性科学基礎研究所 |
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研究代表者 |
前田 文彦 日本電信電話株式会社ＮＴＴ物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主幹研究員 (70393741)
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| 研究分担者 |
日比野 浩樹 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 部長 (60393740)
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| 連携研究者 |
小林 康之 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主幹研究員 (90393727)
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| 研究期間 (年度) |
2010-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
19,500千円 (直接経費: 15,000千円、間接経費: 4,500千円)
2013年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2012年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2011年度: 8,710千円 (直接経費: 6,700千円、間接経費: 2,010千円)
2010年度: 9,490千円 (直接経費: 7,300千円、間接経費: 2,190千円)
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| キーワード | ナノ構造形成・制御 / グラフェン / 結晶成長 / 分子線エピタキシャル成長 / 六方晶窒化硼素 / 欠陥 / ヘテロ成長 / 相互作用 / 拡散長 / X線光電子分光 / 分子線エピタキシャル成長法 / 界面反応 / ヘテロエピタキシャル成長 / 単結晶領域 / 表面拡散 / Ｘ線光電子分光 / 分子線エピタキシ法 / エチレン / 成長過程 / ホモエピタキシャル成長 / 供給律速 / 微傾斜基板 / エタノール / エッチング |
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| 研究概要 |
ガスソース分子線エピタキシャル法によってウエハスケールで大面積のグラフェンを成長する新しい形成法の確立を目指し、本成長法による成長過程を明らかにし、加えてヘテロ構造形成が可能であることを示した。さらに、エッチング現象の抑制と成長材料の拡散促進が重要な指針となること、ならびに絶縁性基板上へのグラフェン層を形成するヘテロ成長基板には、格子整合と吸着分子とのある程度強い相互作用が要求されることが判った。
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