半導体ナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形メカニズムの解明と制御

• 研究課題/領域番号: 22310084
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: マイクロ・ナノデバイス
• 研究機関: 北海道大学
• 研究代表者: 葛西 誠也 北海道大学, 大学院・情報科学研究科, 准教授 (30312383)
• 研究分担者: 前元 利彦 大阪工業大学, 工学部, 准教授 (80280072)
• 研究期間 (年度): 2010 – 2012
• 研究課題ステータス: 完了 (2012年度)
• 配分額: 18,330千円 (直接経費: 14,100千円、間接経費: 4,230千円); 2012年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円); 2011年度: 6,630千円 (直接経費: 5,100千円、間接経費: 1,530千円); 2010年度: 9,490千円 (直接経費: 7,300千円、間接経費: 2,190千円)
• キーワード: 半導体ナノワイヤ / 3分岐接合 / ナノデバイス / 非線形 / ゲート制御 / ３分岐接合 / 自己スイッチングダイオード

研究概要

化合物半導体ナノワイヤ3分岐接合構造(TBJ)が示す特異な非線形電気特性のメカニズム解明のため、レーザー光誘起局所コンダクタンス変調による新規評価法を開発し、構造内部の伝導率不均一性が非線形特性の要因であることを明らかにした。またTBJの応用として、論理回路であるNANDゲートやフリップフロップ回路をTBJにて設計し、回路の試作と動作に成功した。さらに、グラフェンやZnOなど他材料への素子展開を図った。

研究成果

• [雑誌論文] Characterization of GaAs-Based Three-Branch Nanowire Junction Devices by Light-Induced Local Conductance Modulation Method (2013)
  • 著者名/発表者名: M. Sato
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 52
  • 査読あり
• [雑誌論文] Room temperature nonlinear operation of a graphene-based three-branch nanojunction devicewith chemical doping (2012)
  • 著者名/発表者名: S. F. A. Rahman, S. Kasai, and A. M. Hashim
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett 巻: 100 号: 19 ページ: 193116-193116
  • DOI: 10.1063/1.4711035
  • 査読あり
• [雑誌論文] Identification of Graphene Layer Numbers from Color Combination Contrast Image for Wide-Area Characterization (2012)
  • 著者名/発表者名: S. F. A. Rahman, A. M. Hashim, and S. Kasai
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 巻: 51 号: 6S ページ: 06FD09-06FD09
  • DOI: 10.1143/jjap.51.06fd09
  • NAID: 210000140725
  • 査読あり
• [雑誌論文] Characterization of Low-Frequency Noise in Etched GaAs Nanowire Field-Effect Transistors Having SiNx Gate Insulator (2012)
  • 著者名/発表者名: T. Muramatsu
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 51 号: 6S ページ: 06FE18-06FE18
  • DOI: 10.1143/jjap.51.06fe18
  • 査読あり
• [雑誌論文] 高性能酸化亜鉛系FETと酸化物デバイス応用の広がり (2012)
  • 著者名/発表者名: 佐々誠彦
  • 雑誌名: 電子情報通信学会誌 巻: 95 ページ: 289-293
  • 査読あり
• [雑誌論文] 室温プロセスによるフレキシブル基板上酸化亜鉛薄膜トランジスタの作製 (2012)
  • 著者名/発表者名: 木村祐太
  • 雑誌名: 材料 巻: 61 号: 9 ページ: 760-765
  • DOI: 10.2472/jsms.61.760
  • NAID: 130002084924
  • ISSN: 0514-5163, 1880-7488
  • 査読あり
• [雑誌論文] WPG-Controlled Quantum BDD Circuits with BDD Architecture on GaAs-Based Hexagonal Nanowire Network Structure (2012)
  • 著者名/発表者名: H.-Q.Zhao, S.Kasai
  • 雑誌名: Journal of Nanomaterials 巻: 2012 号: 1 ページ: 726860-726860
  • DOI: 10.1155/2012/726860
  • NAID: 120003837200
  • 査読あり
• [雑誌論文] SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析 (2012)
  • 著者名/発表者名: 村松徹、葛西誠也、谷田部然治
  • 雑誌名: 電子情報通信学会技術研究報告(電子デバイス) 巻: 111 ページ: 89-93
  • NAID: 10031105029
• [雑誌論文] 光照射局所コンダクタンス変調法を用いたGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形伝達 特性評価と動作機構の検討 (2012)
  • 著者名/発表者名: 佐藤将来、村松徹、葛西誠也
  • 雑誌名: 電子情報通信学会技術研究報告(電子デバイス) 巻: 111 ページ: 95-99
  • NAID: 10031105044
• [雑誌論文] Novel Nanowire-Based Flip-Flop Circuit Utilizing Gate-Controlled GaAs Three-Branch Nanowire Junctions (2011)
  • 著者名/発表者名: H. Shibata, Y. Shiratori, and S. Kasai
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 巻: 50 号: 6S ページ: 06GF03-06GF03
  • DOI: 10.1143/jjap.50.06gf03
  • NAID: 210000070685
  • 査読あり
• [雑誌論文] Characterization of Low-Frequency Noise in GaAs Nanowire Field-Effect Transistors Controlled by Schottky Wrap Gate (2011)
  • 著者名/発表者名: K.Miura, Y.Shiratori, S.Kasai
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 50 号: 6S ページ: 06GF18-06GF18
  • DOI: 10.1143/jjap.50.06gf18
  • NAID: 210000070700
  • 査読あり
• [雑誌論文] Programmable nano-switch array using SiN/GaAs interface traps on a GaAs nanowire network for reconfigurable BDD logic circuits (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Shiratori, K.Miura, S.Kasai
  • 雑誌名: Microelectronic Engineering 巻: 88 号: 8 ページ: 2755-2758
  • DOI: 10.1016/j.mee.2010.12.007
  • NAID: 120003340670
  • 査読あり
• [雑誌論文] SiN_x絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価 (2011)
  • 著者名/発表者名: 村松徹、三浦健輔、白鳥悠太、葛西誠也
  • 雑誌名: 電子情報通信学会技術研究報告(電子デバイス) 巻: 111 ページ: 31-34
  • NAID: 110008800755
• [雑誌論文] Flexible Zinc Oxide Thin-Film Transistors using Oxide buffer layers on Polyethylene Napthalate Substrates (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Higaki, T.Tachibana, Y.Kimura, T.Maemoto, S.Sasa, M.Inoue
  • 雑誌名: Proceedings of the 2011 International Meeting for Future of Electron Devices ページ: 92-93
  • DOI: 10.1109/imfedk.2011.5944860
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fabrication and Characterization of Antimonide-Based Composite-Channel InAs/AlGaSb HFETs using High-k Gate Insulators (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Kiso, H.Yoshikawa, Y.Ishibashi, K.Nishisaka, K.Ogata, T.Maemoto
  • 雑誌名: Proceedings of the 2011 International Meeting for Future of Electron Devices ページ: 88-89
  • DOI: 10.1109/imfedk.2011.5944863
  • 査読あり
• [雑誌論文] 酸化亜鉛トランジスターの開発とバイオセンサー応用 (2011)
  • 著者名/発表者名: 矢野満明, 小池一歩, 佐々誠彦, 前元利彦, 井上正崇
  • 雑誌名: 材料 巻: 60 号: 5 ページ: 447-456
  • DOI: 10.2472/jsms.60.447
  • NAID: 130000861066
  • ISSN: 0514-5163, 1880-7488
  • 査読あり
• [雑誌論文] Control of stochastic resonance response in a GaAs-based nanowire field-effect transistor (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Kasai, Y.Shiratori, K.Miura, Y.Nakano, T.Muramatsu
  • 雑誌名: physica status solidi (c) 巻: 8 ページ: 384-386
  • 査読あり
• [雑誌論文] Voltage Transfer Characteristics in GaAs-Based Three-Branch Nanowire Junctions Controlled by Schottky Wrap Gates (2010)
  • 著者名/発表者名: D. Nakata, H. Shibata, Y. Shiratori, and S. Kasai
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl.Phys. 巻: 49 号: 6S ページ: 06GG03-06GG03
  • DOI: 10.1143/jjap.49.06gg03
  • 査読あり
• [雑誌論文] Voltage Transfer Characteristics in GaAs-Based Three-Branch Nanowire Junctions Controlled by Schottky Wrap Gates (2010)
  • 著者名/発表者名: D.Nakata, H.Shibata, Y.Shiratori, S.Kasai
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 49
  • 査読あり
• [雑誌論文] Ballistic three-terminal devices based on T-branch junctions in InAs/AlGaSb heterostructures (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Nishioka, Y.Ishibashi, T.Maemoto, S.Sasa, M.Inoue
  • 雑誌名: Proceedings of the 2010 International Meeting for Future of Electron Devices ページ: 136-137
  • 査読あり
• [雑誌論文] THz Wave Detection by Gate-controlled GaAs Nanowire Devices (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Kasai, Y.Shiratori, K.Miura, Y.Nakano, T.Muramatsu
  • 雑誌名: IEEE Proceedings of The 15th optoelectronics and communications conference (OECC2010) ページ: 530-531
• [雑誌論文] Threshold-variation-enhanced adaptability of response in a nanowire field-effect transistor network (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Kasai, K.Miura, Y.Shiratori
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 96 ページ: 1941021-3
  • NAID: 120002148678
  • 査読あり
• [雑誌論文] Characterization of GaAs-based three-branch nanowire junction devices by light-induced local conductance modulation method
  • 著者名/発表者名: M. Sato and S. Kasai
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys
  • NAID: 120006324924
  • 査読あり
• [学会発表] グラフェン３分岐接合デバイスの試作と論理回路応用の検討 (2013)
  • 著者名/発表者名: 殷翔
  • 学会等名: 電子情報通信学会シリコン材料デバイス・電子デバイス合同研究会
  • 発表場所: 北海道大学（札幌）
• [学会発表] フレキシブルデバイス応用を目指したセルフスイッチング型ナノダイオードの整流特性 (2013)
  • 著者名/発表者名: 孫屹
  • 学会等名: 電子情報通信学会シリコン材料デバイス・電子デバイス合同研究会
  • 発表場所: 北海道大学（札幌）
• [学会発表] 単一分子集積ネットワークによる情報処理機能実装と信頼性向上 (2013)
  • 著者名/発表者名: 葛西誠也
  • 学会等名: 連携融合セミナー「分子ナノテクノロジーから分子アーキテクトロニクスへ」
  • 発表場所: 大阪大学（豊中）
• [学会発表] SiNx膜を用いたGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの表面状態と非線形動作機構の関連性についての検討 (2013)
  • 著者名/発表者名: 佐藤将来
  • 学会等名: 第60回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学（厚木）
• [学会発表] SiN/AlGaAs/GaAs ナノワイヤFETのしきい値制御 (2013)
  • 著者名/発表者名: 黒田亮太
  • 学会等名: 第60回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学（厚木）
• [学会発表] Nonlinear Behaviors in III-V Semiconductor Nanowires and Their Application to Information Detection and Processing (2012)
  • 著者名/発表者名: S. Kasai, M. Sato, T. Tanaka, X. Yin, R. Kuroda, Y. Imai
  • 学会等名: The First International Workshop on Information Physics and Computing in Nano-scale Photonics and Materials (IPCN)
  • 発表場所: University of Orleans,France
  • 年月日: 2012-09-07
• [学会発表] 雑音のもとで動作する確率共鳴デバイス (2012)
  • 著者名/発表者名: 葛西誠也
  • 学会等名: 電子情報通信学会電子デバイス研究会特別ワークショップ
  • 発表場所: 首都大学東京(東京)(招待講演)
  • 年月日: 2012-03-02
• [学会発表] Electron transport properties in self switching nano-diodes (2012)
  • 著者名/発表者名: T.Kiso, K.Nishisaka, T.Maemoto, S.Sasa, S.Kasai, M.Inoue
  • 学会等名: APS March Meeting 2012
  • 発表場所: ボストンコンベンションセンター(アメリカ)
  • 年月日: 2012-02-29
• [学会発表] High transconductance zinc oxide thin-film transistors on flexible plastic substrates (2012)
  • 著者名/発表者名: Y.Kimura, T.Higaki, T.Maemoto, S.Sasa, M.Inoue
  • 学会等名: APS March Meeting 2012
  • 発表場所: ボストンコンベンションセンター(アメリカ)
  • 年月日: 2012-02-29
• [学会発表] Characterization of GaAs-based three-branch nanowire junction devices by light-induced local resistance modulation method (2012)
  • 著者名/発表者名: M. Sato and S. Kasai
  • 学会等名: 25th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2012)
  • 発表場所: Kobe Meriken Park Oriental Hotel, Kobe, Japan
• [学会発表] Nonlinear Three Branch Nano-Junction Devices and Their Application to Logic Circuits (2012)
  • 著者名/発表者名: S. Kasai, S. F. A. Rahman, M. Sato, X. Yin, and T. Maemoto
  • 学会等名: 2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2012)
  • 発表場所: Okinawa Seinen-kaikan, Naha, Japan
• [学会発表] Nonlinear Three Branch Nano-Junction Devices and Their Application to Logic Circuits (2012)
  • 著者名/発表者名: S. Kasai
  • 学会等名: 2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
  • 発表場所: 沖縄県青年会館（沖縄）
  • 招待講演
• [学会発表] Nonlinear Behaviors in III-V Semiconductor Nanowires and Their Application to Information Detection and Processing (2012)
  • 著者名/発表者名: S. Kasai
  • 学会等名: The First International Workshop on Information Physics and Computing in Nano-scale Photonics and Materials
  • 発表場所: University of Orleans (Orleans, France)
  • 招待講演
• [学会発表] Nonlinear Electric Characteristics in A Semiconductor Three-Branch Nano-Junction and Its Application to Boolean Logic Circuits (2012)
  • 著者名/発表者名: S. Kasai
  • 学会等名: The 15th Hokkaido University-Seoul National University Joint Symposium "New Frontiers in Convergence Science and Technology"
  • 発表場所: 北海道大学（札幌）
• [学会発表] Characterization of GaAs-based three-branch nanowire junction devices by light-induced local resistance modulation method (2012)
  • 著者名/発表者名: M. Sato
  • 学会等名: 25th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2012)
  • 発表場所: 神戸メリケンパークオリエンタルホテル（神戸）
• [学会発表] Rectification Effects of ZnO-based Transparent Nano-diodes on Glass and Flexible Plastic Substrates (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Kimura
  • 学会等名: 25th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2012)
  • 発表場所: 神戸メリケンパークオリエンタルホテル（神戸）
• [学会発表] Design and Formation of Multiple Asymmetric Potential in a GaAs-based Nanowire for Electron Brownian Ratchet (2012)
  • 著者名/発表者名: S. Kasai
  • 学会等名: 2012 Workshop on Innovative Devices and Systems
  • 発表場所: Hapuna Beach Prince Hotel (Hawaii, USA)
• [学会発表] GaAsナノワイヤFET集積しきい値論理回路の試作と評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 黒田亮太
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山大学・愛媛大学（松山）
• [学会発表] 光照射局所コンダクタンス変調法を用いたGaAsナノワイヤ３分岐接合デバイスの非線形特性評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 佐藤将来
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山大学・愛媛大学（松山）
• [学会発表] フレキシブルデバイス応用を目指したZnOセルフスイッチング型ナノダイオードの整流特性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 木村祐太
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山大学・愛媛大学（松山）
• [学会発表] グラフェン３分岐ナノ接合デバイスの試作とインバータ応用の検討 (2012)
  • 著者名/発表者名: 殷翔
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山大学・愛媛大学（松山）
• [学会発表] フレキシブル酸化亜鉛透明薄膜トランジスタの開発 (2012)
  • 著者名/発表者名: 孫屹
  • 学会等名: 第284回 電気材料技術懇談会「若手研究発表会」
  • 発表場所: 中央電気倶楽部（大阪）
• [学会発表] ナノ構造を用いたフレキシブル基板上酸化亜鉛整流デバイスの作製と評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 木村祐太
  • 学会等名: 関西からはばたく最新技術
  • 発表場所: 関西大学100周年記念会館（吹田）
• [学会発表] Rectification effects in ZnO-based transparent self-switching nano-diodes (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Kimura
  • 学会等名: 2012 Int. Mtg. for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
  • 発表場所: 関西大学100周年記念会館（吹田）
• [学会発表] パルスレーザー堆積法による酸化亜鉛透明フレキシブルデバイスの開発 (2012)
  • 著者名/発表者名: 木村祐太
  • 学会等名: 第53回真空に関する連合講演会
  • 発表場所: 甲南大学ポートアイランドキャンパス（神戸）
• [学会発表] Electronic Stochastic Resonance in Semiconductor Nanodevices and Their Networks (2012)
  • 著者名/発表者名: S.Kasai
  • 学会等名: 2012 RCIQE International Workshop for Green Electronics
  • 発表場所: 北海道大学(札幌)
• [学会発表] Dynamic Charge Transfer Characteristics of a GaAs-based Nanowire CCD (2012)
  • 著者名/発表者名: Y.Nakano, T.Tanaka, S.Kasai
  • 学会等名: 2012 RCIQE International Workshop for Green Electronics
  • 発表場所: 北海道大学(札幌)
• [学会発表] 電子的ブラウンラチェット機能実現に向けた非対称ゲート素子の作製と評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 田中貴之、葛西誠也
  • 学会等名: 第47回応用物理学会北海道支部/第8回日本光学会北海道地区合同学術講演会
  • 発表場所: 北海道大学(札幌)
• [学会発表] SiN絶縁ゲートGaAsナノワイヤFETにおける低周波雑音の評価と解析 (2012)
  • 著者名/発表者名: 村松徹、葛西誠也、谷田部然治
  • 学会等名: 電子情報通信学会電子デバイス・シリコン材料デバイス合同研究会
  • 発表場所: 北海道大学(札幌)
• [学会発表] 光照射局所コンダクタンス変調法を用いたGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形伝達特性評価と動作機構の検討 (2012)
  • 著者名/発表者名: 佐藤将来、村松徹、葛西誠也
  • 学会等名: 電子情報通信学会電子デバイス・シリコン材料デバイス合同研究会
  • 発表場所: 北海道大学(札幌)
• [学会発表] 窒化Si絶縁ゲートエッチングGaAsナノワイヤFETの低周波雜音特性の解析 (2012)
  • 著者名/発表者名: 村松徹、三浦健輔、谷田部然治、葛西誠也
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京)
• [学会発表] 電子ブラウンラチェットに向けた非対称ゲートナノワイヤ素子の試作と評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 田中貴之、中野雄紀、村松徹、葛西誠也
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京)
• [学会発表] GaAsナノワイヤCCDの電荷転送効率の評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 中野雄紀、田中貴之、葛西誠也
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京)
• [学会発表] 遅延ネットワーク系確率共鳴による微弱信号検出性能の改善 (2012)
  • 著者名/発表者名: 田所幸浩、葛西誠也、一木輝久
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京)
• [学会発表] GaAsナノワイヤFET経路長変調ネットワークにおける確率共鳴 (2012)
  • 著者名/発表者名: 葛西誠也、田所幸浩、田中貴之、今井裕理、一木輝久
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京)
• [学会発表] ラフェン3分岐ナノ接合デバイスとインバータ回路応用の検討 (2012)
  • 著者名/発表者名: 殷翔、シャハリンファズリ, 葛西誠也
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京)
• [学会発表] 経路長変調ネットワークによる確率共鳴現象の効果改善 (2012)
  • 著者名/発表者名: 田所幸浩、一木輝久、葛西誠也
  • 学会等名: 2012年電子情報通信学会総合大会
  • 発表場所: 岡山大学(岡山)
• [学会発表] 光照射局所コンダクタンス変調法によるGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイス非線形伝達特性の評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 佐藤将来、村松徹、葛西誠也
  • 学会等名: 2012年電子情報通信学会総合大会
  • 発表場所: 岡山大学(岡山)
• [学会発表] Room temperature growth of zinc oxide thin films by pulsed laser deposition and its flexible thin-film transistor application (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Kimura, T.Higaki, Y.Sun, T.Maemoto, S.Sasa, M.Inoue
  • 学会等名: 11th INTERNATIONAL CONFERENCE ON LASER ABLATION (COLA2011)
  • 発表場所: Hotel IBEROSTAR (Mexico)
  • 年月日: 2011-11-15
• [学会発表] Zinc Oxide Thin-Film Transistors on Flexible Plastic Substrates and Glass Substrates Fabricated at Room Temperature (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Higaki, Y.Kimura, T.Maemoto, S.Sasa, M.Inoue
  • 学会等名: 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
  • 発表場所: 愛知県産業労働センター(名古屋市)
  • 年月日: 2011-09-29
• [学会発表] Transport Properties in InAs based Ballistic Rectifiers and Self-Switching Diodes (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Kiso, T.Maemoto, K.Nishisaka, S.Sasa, S.Kasai, M.Inoue
  • 学会等名: 17th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON 17)
  • 発表場所: カリフォルニア大学,サンタバーバラ校(アメリカ)
  • 年月日: 2011-08-08
• [学会発表] Transport Properties in InAs based Ballistic Rectifiers and Self-Switching Diodes (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Kiso, T. Maemoto, K. Nishisaka, S. Sasa, S. Kasai, and M. Inoue
  • 学会等名: 17th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nano structures (EDISON 17)
  • 発表場所: University of CaliforniaSanta Barbara, Santa Barbara, California, USA
• [学会発表] Stochastic Resonance and Related Phenomena in GaAs-based Nanowire FET Networks (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Kasai
  • 学会等名: The 2011 Villa Conference on Interaction Among Nanostructures
  • 発表場所: Red Rock Casino, Resort and Spa (Las Vegas, USA)(招待講演)
• [学会発表] Fabrication and Characterization of Graphene-Based Three- Branch Nanojunction Device (2011)
  • 著者名/発表者名: S.F.A.Rahman, S.Kasai,A.M.Hashim, V.K.Arora
  • 学会等名: 2011 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
  • 発表場所: Legend Hotel (Daejeon, Korea)
• [学会発表] Noise-Color Dependence of Stochastic Resonance in a GaAs-Based Nanowire FET Network (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Kasai, Y.Tadokoro, A.Ichiki, Y.Shiratori, K.Miura
  • 学会等名: 9th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
  • 発表場所: 長良川国際会議場(岐阜市)
• [学会発表] GaAs Nanowire Charge-Coupled Device for Synchronized Signal Transfer in A Nanowire Network (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Nakano, T.Tanaka, S.Kasai
  • 学会等名: International Workshop on Quantum Nanostructures and Nanoelectronics
  • 発表場所: 東京大学(東京)
• [学会発表] Low-frequency Noise in GaAs Nanowire MISFETs having SiN_x Gate Insulator (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Muramatsu, K.Miura, Y.Shiratori, S. Kasai
  • 学会等名: 24th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
  • 発表場所: 京都全日空ホテル(京都)
• [学会発表] Analysis on Dynamic Behavior of Thermally Driven Single-electron Stochastic Resonance (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Kasai, Y.Shiratori, K.Miura
  • 学会等名: 24th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
  • 発表場所: 京都全日空ホテル(京都)
• [学会発表] Improvement of Optical Graphene Layer Identification for Large-area Characterization (2011)
  • 著者名/発表者名: S.F.A.Rahman, A.M.Hashim, S.Kasai
  • 学会等名: 24th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
  • 発表場所: 京都全日空ホテル(京都)
• [学会発表] Fabrication and transport properties in InAs-based self switching nano-diodes (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Kiso, K.Nishisaka, T.Maemoto, S.Sasa, S.Kasai, M.Inoue
  • 学会等名: 24th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
  • 発表場所: 京都全日空ホテル(京都)
• [学会発表] SiN_x絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価 (2011)
  • 著者名/発表者名: 村松徹、三浦健輔、白鳥悠太、葛西誠也
  • 学会等名: 電子情報通信学会電子デバイス研究会
  • 発表場所: 長岡技術科学大学(長岡)
• [学会発表] 光照射局所コンダクタンス変調法を用いたGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの評価 (2011)
  • 著者名/発表者名: 佐藤将来, 三浦健輔, 村松徹, 葛西誠也
  • 学会等名: 第72回応物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学(山形)
• [学会発表] ラップゲート制御GaAsナノワイヤCCDの電荷転送動作の検討 (2011)
  • 著者名/発表者名: 中野雄紀, 田中貴之, 葛西誠也
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学(山形)
• [学会発表] SiNx絶縁ゲートGaAsナノワイヤFETにおける低周波雑音の構造サイズ依存性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 村松徹, 三浦健輔, 白鳥悠太, 葛西誠也
  • 学会等名: 第46回応用物理学会北海道支部/第7回日本光学会北海道地区合同学術講演会
  • 発表場所: 室蘭工業大学(室蘭)
• [学会発表] ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤCCDの試作と電荷転送動作の検討 (2011)
  • 著者名/発表者名: 中野雄紀, 三浦健輔, 白鳥悠太, 葛西誠也
  • 学会等名: 電子情報通信学会シリコン材料デバイス・電子デバイス合同研究会
  • 発表場所: 北海道大学(札幌)
• [学会発表] 量子ドットと並列ネットワークにおける単電子確率共鳴 (2011)
  • 著者名/発表者名: 葛西誠也, 白鳥悠太, 三浦健輔, 中野雄紀
  • 学会等名: 電子情報通信学会シリコン材料デバイス・電子デバイス合同研究会
  • 発表場所: 北海道大学(札幌)
• [学会発表] 雑音共存確率共鳴トランジスタ (2011)
  • 著者名/発表者名: 葛西誠也
  • 学会等名: 2011年電子情報通信学会総合大会
  • 発表場所: 東京都市大学(東京)(招待講演)
• [学会発表] ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤFETにおける低周波雑音特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 三浦健輔、白鳥悠太、村松徹、葛西誠也
  • 学会等名: 2011年電子情報通信学会総合大会
  • 発表場所: 東京都市大学(東京)
• [学会発表] ラップゲート制御GaAsナノワイヤ3分岐接合を用いた高集積フリップフロップ回路の試作と評価 (2011)
  • 著者名/発表者名: 柴田啓、白鳥悠太、葛西誠也
  • 学会等名: 2011年電子情報通信学会総合大会
  • 発表場所: 東京都市大学(東京)
• [学会発表] 半導体ナノワイヤネットワークと情報処理機能 (2011)
  • 著者名/発表者名: 葛西誠也
  • 学会等名: 第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学(神奈川)(招待講演)
• [学会発表] 確率共鳴の電子的利用を可能にする半導体ナノデバイス技術 (2011)
  • 著者名/発表者名: 葛西誠也
  • 学会等名: 第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学(神奈川)(招待講演)
• [学会発表] WPG制御GaAsナノワイヤCCDの電荷転送動作 (2011)
  • 著者名/発表者名: 中野雄紀, 三浦健輔, 白鳥悠太, 葛西誠也
  • 学会等名: 第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学(神奈川)
• [学会発表] SiNx絶縁ゲートGaAsナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価 (2011)
  • 著者名/発表者名: 村松徹, 三浦健輔, 白鳥悠太, 葛西誠也
  • 学会等名: 第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学(神奈川)
• [学会発表] GaAs系ナノワイヤFETを用いたTHzセンシングと確率共鳴による感度向上の検討 (2010)
  • 著者名/発表者名: 葛西誠也、三浦健輔、白鳥悠太
  • 学会等名: 電子情報通信学会電子デバイス研究会
  • 発表場所: 九州工業大学(北九州)
  • 年月日: 2010-09-13
• [学会発表] Fabrication of a Nanowire-based Flip-fop Circuit using Gate-controlled GaAs Three-branch Nanowire Junctions (2010)
  • 著者名/発表者名: H. Shibata, Y. Shiratori and S. Kasai
  • 学会等名: 23rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2010)
  • 発表場所: Rihga Royal Hotel Kokura, Fukuoka, Japan
• [学会発表] Ballistic three-terminal devices based on T-branch junctions in InAs/AlGaSb heterostructures (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Nishioka, Y.Ishibashi, T.Maemoto, S.Sasa, M.Inoue
  • 学会等名: IEEE The 2010 International Meeting for Future of Electron Devices
  • 発表場所: 関西大学・百周年記念会館(大阪府吹田市)
• [学会発表] THz Wave Detection by Gate-controlled GaAs Nanowire Devices (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Kasai, Y.Shiratori, K.Miura, Y.Nakano, T.Muramatsu
  • 学会等名: The 15th optoelectronics and communications conference (OECC2010)
  • 発表場所: 札幌コンベンションセンター(札幌)
• [学会発表] 確率共鳴を利用した新しい情報処理のためのナノデバイスと集積化 (2010)
  • 著者名/発表者名: 葛西誠也
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(長崎)(招待講演)
• [学会発表] しきい値分散ナノワイヤFETネットワークにおける確率共鳴 (2010)
  • 著者名/発表者名: 葛西誠也, 白鳥悠太, 三浦健輔, 中野雄紀
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(長崎)
• [学会発表] GaAsナノワイヤFETにおける低周波雑音の構造サイズ依存性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 三浦健輔, 白鳥悠太, 葛西誠也
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(長崎)
• [学会発表] SiNx絶縁ゲートGaAsナノワイヤFETの雑音特性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 村松徹, 三浦健輔, 葛西誠也
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(長崎)
• [学会発表] GaAsナノワイヤCCDの試作と評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 中野雄紀, 三浦健輔, 白鳥悠太, 葛西誠也
  • 学会等名: 2010年電子情報通信学会ソサイエティ大会
  • 発表場所: 大阪府立大学(堺)
• [学会発表] Fabrication of programmable nano switch arrays on GaAs nanowire networks for reconfigurable BDD logic circuits (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Shiratori, K.Miura, S.Kasai
  • 学会等名: 36th International Conference on Micro & Nano Engineering
  • 発表場所: Genoa Convention Centre (Geneva, Italy)
• [学会発表] Fabrication of a Nanowire-based Flip-fop Circuit using Gate-controlled GaAs Three-branch Nanowire Junctions (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Shibata, Y.Shiratori, S.Kasai
  • 学会等名: 23rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference
  • 発表場所: リーガロイヤルホテル小倉(小倉)
• [学会発表] Low-frequency Noise in GaAs Nanowire FETs controlled by Schottky Wrap Gate (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Miura, Y.Shiratori, S.Kasai
  • 学会等名: 23rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference
  • 発表場所: リーガロイヤルホテル小倉(小倉)
• [学会発表] Transport Properties of InAs-based Three-terminal Ballistic Junctions (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Nishioka, Y.Ishibashi, T.Kiso, T.Maemoto, S.Sasa, S.Kasai, M.Inoue
  • 学会等名: 23rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference
  • 発表場所: リーガロイヤルホテル小倉(小倉)
• [学会発表] EStochastic Resonance Nanodevices Toward Fluctuation Cooperative Nanoelectronics (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Kasai
  • 学会等名: 2010 International Conference on Enabling Science and Nanotechnology
  • 発表場所: Kuala Lumpur Convention Centre (Kuala Lumpur, Malaysia)(invited)
• [図書] Introduction to Noise-Resilient Computing (2013)
  • 著者名/発表者名: S. N. Yanushkevich, S. Kasai, G. Tangim, A. H. Tran, T. Mohamed, V. P.
  • 総ページ数: 152
  • 出版者: Smerko, Morgan & Claypool Publisher
• [図書] Introduction to Noise-Resilient Computing (2013)
  • 著者名/発表者名: S. N. Yanushkevich
  • 総ページ数: 152
  • 出版者: Morgan & Claypool publishers
• [備考]
  • URL: http://www.rciqe.hokudai.ac.jp/ied/index.html
• [備考] 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター 集積電子デバイス学研究室
  • URL: http://www.rciqe.hokudai.ac.jp/ied/index.html
• [備考]
  • URL: http://hydrogen.rciqe.hokudai.ac.jp/~kasai/home.html
• [備考]
  • URL: http://hydrogen.rciqe.hokudai.ac.jp/~kasai/home.html