| 研究課題/領域番号 |
22340080
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅰ
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
黒田 新一 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (20291403)
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| 研究分担者 |
伊東 裕 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (10260374)
田中 久暁 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 助教 (50362273)
丸本 一弘 筑波大学, 大学院・数理物質科学科, 准教授 (50293668)
下位 幸弘 産業技術総合研究所, ナノシステム研究部門, 上級主任研究員 (70357226)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
19,110千円 (直接経費: 14,700千円、間接経費: 4,410千円)
2012年度: 4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2011年度: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2010年度: 10,140千円 (直接経費: 7,800千円、間接経費: 2,340千円)
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| キーワード | 有機半導体 / 電子スピン共鳴 / 有機電界効果トランジスタ / 非線形素励起 / 導電性高分子 / 理論計算 / 有機電解効果トランジスタ / 電界注入 / ルブレン / ペンタセン / フラーレン / ポリアルキルチオフェン / ポーラロン |
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| 研究概要 |
有機トランジスタ(FET)ではデバイス界面でのキャリアの伝導機構や電子・スピン機能が注目されている。本研究では、電子スピン共鳴(ESR)法により FET 界面におけるキャリアのスピンを直接観測し、キャリアダイナミクス、界面分子配向等を決定し、デバイス機能との相関をミクロな観点から解明した。特に高移動度を示すチエノチオフェン系 FET では極低温でもキャリアが明瞭に運動していることをはじめて明らかにした。また超薄膜高分子 FET では主鎖配向と移動度異方性との相関を、またルブレン単結晶 FET では界面の化学修飾の効果を明らかにした。さらに高濃度キャリア注入下では、分子構造に依存したバイポーラロン生成などスピン状態制御の可能性を示すことに成功した。
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