| 研究課題/領域番号 |
22340087
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
伊土 政幸 北海道大学, 大学院・理学研究院, 教授 (90111145)
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| 研究分担者 |
小田 研 北海道大学, 大学院・理学研究院, 教授 (70204211)
桃野 直樹 室蘭工業大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (00261280)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
19,110千円 (直接経費: 14,700千円、間接経費: 4,410千円)
2012年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
2011年度: 4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2010年度: 11,960千円 (直接経費: 9,200千円、間接経費: 2,760千円)
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| キーワード | 銅酸化物高温超伝導 / 走査トンネル顕微法 / 走査トンネル分光 / 擬ギャップ / 電荷秩序 / ノーダルギャップ / 銅酸化物高温超伝導体 / d波超伝導 / 酸化物高温超伝導体 / 操作トンネル顕微法 |
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| 研究概要 |
本研究では、STM/STSのdI/dV像やLDOS像からBi系銅酸化物高温超伝導体の大きな擬ギャップに関連するCu-O面の電荷秩序を調べた。その結果、1)電荷秩序はエネルギーギャップ内の低エネルギー領域で超伝導の準粒子干渉と共存すること、2)電荷秩序の周期はドープ量(ホール濃度)と共に格子定数の整数倍で変化する傾向にあること、また3)電荷秩序の明るい領域では暗い領域に比べてドープ量が高くなっていることが分かった。これらの結果は、電荷秩序がストライプモデルで見られるようなCu-O面内のホールの再配列に起因することを示している。また、本研究では小さな擬ギャップと超伝導との関わりについても議論した。
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