| 研究課題/領域番号 |
22350092
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機工業材料
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
尾形 幸生 京都大学, エネルギー理工学研究所, 教授 (30152375)
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| 研究分担者 |
作花 哲夫 京都大学, 大学院・工学研究科, 教授 (10196206)
深見 一弘 京都大学, エネルギー理工学研究所, 助教 (60452322)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
19,110千円 (直接経費: 14,700千円、間接経費: 4,410千円)
2012年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2011年度: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2010年度: 11,180千円 (直接経費: 8,600千円、間接経費: 2,580千円)
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| キーワード | 電気化学 / 多孔質シリコン / 微細孔形成 / 多層膜 / 陽極酸化 / センサー応用 / 表面増強ラマン散乱 |
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| 研究概要 |
電気化学的に生成する多孔質シリコンの構造発現を統一的に把握するために諸条件下で生成する微細構造を詳細に検討し、以下の成果を得た。(1) マクロ孔形成は独立した事象として考えるのではなく、他の構造を含んだ多孔質構造形成として統一的な視点で取り扱わねばならないことを明らかにした。(2)ルゲート型多孔質シリコンのセンサー応用の可能性を示し、電気化学手法による微細構造制御による光学特性の向上の可能性を示した。
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